半导体来料性能抽检计划指导培训.xlsVIP

Sheet3

Sheet2

编码

厂家

型号

抽检项目

抽检频次

样品数量

抽检条件

测试指标

备注

1次/月

散热器安装

Viso

合格判据

1.5Nm力矩安装到散热器之后，绝缘耐压满足交流2.5KV1分钟。

高温电参数

安装绝缘

1次/季

125℃下测试

Vces

Vge=0VIc=10mA条件下Vce1200V.

1次/半年

Ir

1次/季度

Tj=125℃,Vr=480V

Ir7MA

Ir3MA

Tj=125℃,Vr=960V

Ir14MA

Ir60MA

Tj=150℃,Vr=600V

Ir800uA

Tj=175℃,Vr=600V

Ir1000uA

5Nm力矩安装到散热器之后，绝缘耐压满足交流3KV1分钟。

高温电参数

VRM

IR=100uA条件下,VRM800V

1次/季

hFE

Ic=150mA,Vce=1V条件下,125hFE375

高温电参数

1次/季

高温125℃存储5小时后进行高温测试

击穿电压VBR

漏电流IR

满足规格书的要求；漏电流IR小于1000uA；无短路

高低温电参数

分别进行高温125℃和低温-20℃存储0.5小时后进行高低温测试

漏电流IR

稳压值Vz

满足规格书的要求；Vz在11.4到12.7V之间，IR小于0.1uA；

满足规格书的要求；Vz在16.8到19.1V之间，IR小0.05uA；

满足规格书的要求；Vz在4.8到5.1V之间，IR小于0.1uA；

低温电参数

1次/季

在-25℃下测试

Vgs=0VID=250uA条件下不小于810V；

150℃下测试

Idss

Idss在Vgs=0VVds=160V条件下小于等于250uA；

125℃下测试

Idss、VGS(th)

Idss在Vgs=0VVds=600V条件下小于等于10uA；VGS(th)在Vgs=VdsId=250uA条件下在2.25V～2.55V范围内。

1次/季

高温130℃存储1小时左右后进行高温电测试

击穿电压VBR

漏电流IR

漏电流IR小于50mA；

曲线稳定不漂移

漏电流IR小于150mA；

曲线稳定不漂移

高温125℃存储1小时左右后进行高温电测试

漏电流IR小于5mA；

曲线稳定不漂移

高温125℃存储2小时左右后进行高温电测试

漏电流IR小于15mA；

曲线稳定不漂移

抽样地点

特殊条件下半导体来料性能抽检计划

OEM

BVDSS

20.00

20.00

20.00

5.00

20.00

20.00

10.00

20.00

20.00

20.00

20.00

20.00

20.00

20.00

20.00

20.00

5.00

5.00

5.00

20.00

10.00

5.00

5.00

5.00

5.00

5.00