CN111613622B 集成电路器件及其制造方法 （三星电子株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111613622B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号201911241565.8

(22)申请日2019.12.06

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111613622A

(43)申请公布日2020.09.01

(30)优先权数据

10-2019-00212882019.02.22KR

(73)专利权人三星电子株式会社地址韩国京畿道

(72)发明人尹壮根李载惠宋在炼

(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330

专利代理师李娜王占杰

(51)Int.CI.

H10B43/35(2023.01)

H10B43/10(2023.01)

H10B43/40(2023.01)

H10B43/27(2023.01)

(56)对比文件

JP

JP

2017163110

2011023586

A,2017.09.14

A,2011.02.03

WO2016194211A1,2016.12.08审查员唐朝东

权利要求书4页说明书22页附图52页

(54)发明名称

集成电路器件及其制造方法

(57)摘要

CN111613622B提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件可以包括交替地堆叠的多个字线结构和多个绝缘膜。所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面。所述器件还可以包括位于所述沟道孔的侧面上的阻挡介电膜，以及位于所述阻挡介电膜且分别位于所述多个字线结构的侧面上的多个电荷存储膜。所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜可以包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜。所

CN111613622B

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CN111613622B权利要求书1/4页

2

1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：

多个字线结构，所述多个字线结构在与衬底的主表面平行的水平方向上在所述衬底上延伸，并且在与所述衬底的主表面垂直的竖直方向上彼此交叠；

多个绝缘膜，所述多个绝缘膜与所述多个字线结构在所述竖直方向上交替地堆叠并在所述水平方向上延伸，其中，所述多个字线结构的侧面和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面；

阻挡介电膜，所述阻挡介电膜在所述沟道孔的所述侧面上延伸；

多个电荷存储膜，所述多个电荷存储膜在所述沟道孔中在所述阻挡介电膜上彼此间隔开，并且分别位于所述多个字线结构的所述侧面上，所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的所述侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜；以及

隧穿介电膜，所述隧穿介电膜在所述沟道孔中位于所述阻挡介电膜和所述多个电荷存储膜上，

其中，所述第二电荷存储膜包括面对所述阻挡介电膜的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，

其中，所述第二电荷存储膜的所述第二表面在其沿所述竖直方向的中间部分包括凹

部，

其中，所述第二电荷存储膜具有相比于所述中间部分进一步朝向所述沟道孔突出的上部和下部，并且

其中，所述隧穿介电膜具有分别与所述第二电荷存储膜的所述上部和所述下部相对应的在朝向所述沟道孔的方向上凹入的弯曲部分。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述多个绝缘膜中的每个绝缘膜的所述侧面朝向所述阻挡介电膜突出超过所述多个字线结构中的每个字线结构的所述侧面。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：

沟道膜，所述沟道膜位于所述隧穿介电膜上，

其中，所述阻挡介电膜的面对所述沟道膜的表面包括分别对应于所述多个字线结构的多个凹槽，并且所述多个电荷存储膜中的每个电荷存储膜包括位于所述阻挡介电膜的所述多个凹