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用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液 (2).doc

用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液 (2).doc

    用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液

    原料配比

    原料

    配比（质量份）

    1#

    2#

    三乙醇胺

    140

    －

    四甲氢氧化铵

    －

    80

    KOH

    20

    20

    18MΩ以上超纯去离子水

    200

    100

    FA/O活性剂

    60

    10

    FA/O螯合剂

    60

    10

    粒径15~25nm纳米SiO2溶胶

    800

    3500

    去离子水

    2900

    380

    制备方法

    （1）将密闭反应器系统用去离子水负压涡流下清洗三遍；密闭反应器原材料选用无污染的聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲脂；

    （2）在负压涡流状态下逐渐加入胺碱调节pH值，无机强碱试剂用18MΩ以上超纯水稀释后在负压涡流状态下逐渐吸入，pH值调节为9-13；

    （3

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