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具有特殊缓冲体系的硅片化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

二氧化硅磨料

25

36

40

30

酸式盐

柠檬酸钠

0.1

－

－

―

乙醇钠

－

0.35

－

－

十二烷基苯磺酸钠

－

－

0.6

－

碳酸氢钠

－

－

－

0.4

PH调节剂

氢氧化钠

0.01

－

1.5

－

氢氧化钾

－

0.1

－

0.6

乙醇胺

0.05

－

0.5

－

二乙烯三胺

0.03

0.5

0.5

－

三乙烯四胺

－

－

－

0.6

羟乙基乙二胺

－

0.3

－

0.4

AMP-95

0.01

0.1

0.5

0.4

碱性螯合剂

0.01

0.1

0.8

0.4

水

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分混合搅拌均匀，调PH为10.8~12.5即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：二氧化硅磨料25~40、酸式盐0.1~0.6、PH调节剂0.1~3、碱性螯合剂0.01~0.8、水余量。

所说的二氧化硅磨料采用粒径60~80nm，浓度为40~50％的二氧化硅溶胶；

所说的酸式盐为有机酸式盐或无机酸式盐；

所说的pH调节剂为有机胺或无机碱；

所说的碱性螯合剂按照重量百分比包括下列组分：四甲基氢氧化铵15％，纯水10％，羟乙基乙二胺48％，二乙烯三胺10％，乙醇胺15％，EDTA-2Na2％。

优选地，所说的有机酸式盐选自乙醇钠、聚丙烯酸钠、直链十二烷基苯磺酸钠或柠檬酸钠；

所说的无机酸式盐为碳酸氢钠、四硼酸钠或磷酸氢二钠；

所说的有机胺选自羟乙基乙二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、乙醇胺和AMP-95中的一种或几种；

所说的无机碱为NaOH或KOH。

本品的具有特殊缓冲体系的硅片化学机械抛光液，pH值为10.8~12.5之间，磨料粒径为60~80nm，在抛光液连续循环使用12次后，pH值下降值为0.2~0.25之间。抛光液经以30倍去离子水高稀释比稀释后，抛光速率仍可为1μm/min。

本品的具有特殊缓冲体系的硅片化学机械抛光液的成分的选择基于下列理由：

首先，选用中等粒径硅溶胶作为磨料，该粒径范围的硅溶胶能够有效保证抛光后硅片的较好的表面质量，但这只是保证硅片较好表面质量的一个方面。

然后，所加入PH调节剂，能够将抛光液中多余的OH-贮存，使抛光液的pH值不至于过高，避免了抛光初始时由于PH值过大对硅片造成的腐蚀；且加入自主研发的碱性螯合剂后，一方面可有效的降低抛光液中金属离子含量，另一方面可提供一小部分有机胺的作用，起到辅助增加抛光液缓冲能力的作用，增强了抛光液储存OH-的能力，使得由本方法配制的抛光液在循环使用12次后，PH值下降范围为0.2~0.25。这较小的PH值下降范围可无形之中增加了抛光液的使用寿命，降低抛光液的使用成本。

最后，在抛光液中加入一定量的酸式盐后，可使抛光后的产物更为迅速的离开硅晶片的表面，对硅晶片的抛光速率有一定的促进作用，另外，经高倍显微镜观察得到加入一定量的酸式盐后，可进一步降低硅晶片表面粗糙度。

产品应用本品主要应用于硅片化学机械抛光。

产品特性

（1）选用科学合理的缓冲体系，不盲目提高抛光液的pH，抛光过程中PH值变化幅度小，抛光后，硅片表面质量较好，没有表面划伤以及其他缺陷；

（2）在配制抛光液时，增加自主研发的螯合剂后可增加抛光液的抛光速率并提高了抛光液的缓冲能力，使得循环使用过程中PH值仅下降0.2~0.25；

（3）抛光液配制工艺简单，易操作，适于工业生产；可降低抛光液的使用成本。

参考文献中国专利公告CN－201010576414.0