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硅单晶衬底材料抛光液

原料配比

表1粗抛液

原料

配比（质量份）

1#

2#

粒径15~100nmSiO2溶胶

800

3600

去离子水

2760

180

乙二胺四乙酸四（四羟乙基乙二胺）

400

210

醚醇类表面活性剂

40

10

表2精抛液

原料

配比（质量份）

1#

2#

粒径15~25nmSiO2溶胶

800

3600

去离子水

2820

1200

乙二胺四乙酸四（四羟乙基乙二胺）

320

160

醚醇类表面活性剂

60

40

制备方法

（1）粗抛液的制备：①将粒径15~100nm、浓度为30~50％的SiO2磨料，用去离子水稀释；②用pH调节剂调节上述溶液使PH值在9~13.5范围内；③在调节完pH后，边搅拌边加入醚醇类活性剂；

（2）精抛液的制备：①选用粒径15~25nm、浓度30~50%的SiO2磨料，用去离子水稀释；②用pH调节剂调节pH值在9~12范围内，在调节过程中碱性助剂必须边搅拌边加入；③在调节完pH后，边搅拌边加入表面活性剂。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：磨料800~3600、去离子水180~2820、乙二胺四乙酸四（四羟乙基乙二胺）160~400、醚醇类表面活性剂10~60。

所述磨料是粒径15~100nm的SiO2溶胶，其浓度30~50%。

所述的FA/OPH调节剂为胺碱。

所述的PH调节剂为乙二胺四乙酸四（四羟乙基乙二胺）；作为抛光液pH调节剂，可起到缓冲剂的作用，又可生成大分子产物且溶于水，同时对多种金属离子起鳌合作用，使反应产物在小的机械作用下即可脱离加工表面，同时还能起到络合及鳌合作用。

所述的醚醇类活性剂是非离子活性剂，如FA/O表面活性剂、OII-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H、OII-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H、O-20((C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)，JFC的一种或一种以上。表面活性剂可降低表面张力，提高凹凸选择比，又能起到渗透和润滑作用，既能增强了输运过程，又能达到高平整，高光洁的表面。

通过研究发现在CMP动力学过程中，化学过程是控制过程，化学过程提高会有效降低粗糙度、控制划伤、大大提高效率、提高表面洁净度，我们首先研发出在CMP条件下能和硅反应产物形成易溶于水的大分子化合物，且对几十种金属离子形成极稳定的络合物，且在PH值大于12.5时保证磨料稳定性的FA/O新试剂，对抛光液性能获得了质的突破。

本品可制成粗抛液和精抛液，分别适用于粗抛和精抛工艺，采用粗抛液实现高去除速率，当去除量接近所要求范围时，再用精抛液在大流量、低温、低压力下实现低粗糙度的控制。

产品应用本品主要应用于硅单晶衬底材料抛光。

产品特性

（1）选用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其粒径小（15~100nm）、浓度高（40%）、硬度小（损伤小）、分散度好，能够达到高速率、高平整、低损伤、无污染，有效解决了现有Al2O3磨料硬度大、易划伤、易沉淀等诸多弊端。

（2）该抛光液为碱性抛光液，易生成可溶性的化合物，从而易脱离抛光表面，可对设备无腐蚀，硅溶胶稳定性好。

（3）选用表面活性剂，增加了高低选择比，大大降低了表面张力、减小了损伤层、提高了硅片表面的均一性及交换速率，增强了输运过程，同时表面凹凸差大大降低，从而有效的提高表面的平整度及降低粗糙度。

（4）选用大分子胺碱作为抛光液PH调节剂，可起到缓冲剂的作用，又可生成大分子产物且溶于水，使反应产物在小的机械作用下即可脱离加工表面，同时还能起到络合及螯合作用。

（5）配方简合理，制备工艺简捷，降低成本价格，一剂多用，应用广泛。

参考文献中国专利公告CN－200610014297.2