CN113948520B 一种氧化铪基铁电电容及其制备方法 （湘潭大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113948520B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202111067609.7

(22)申请日2019.03.26

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113948520A

(43)申请公布日2022.01.18

(62)分案原申请数据

201910233614.72019.03.26

(73)专利权人湘潭大学

地址411100湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘

27号

(72)发明人廖敏曾斌建周益春廖佳佳

彭强祥

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理

有限公司11385专利代理师冯静

(51)Int.CI.

H10B53/30(2023.01)

H10D1/68(2025.01)

(56)对比文件

CN108520878A,2018.09.11

KR20060000877A,2006.01.06

审查员王丹

权利要求书1页说明书8页附图4页

(54)发明名称

一种氧化铪基铁电电容及其制备方法

(57)摘要

CN113948520B本发明涉及一种氧化铪基铁电电容及其制备方法，其中，该铁电电容包括由下至上依次层叠设置的第一层底电极(4)、第二