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2026校招：工艺整合题库及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种不属于工艺整合中的关键工艺？

A.光刻

B.封装

C.销售

D.刻蚀

2.光刻工艺的主要目的是？

A.增加芯片硬度

B.复制电路图案

C.提高芯片导电性

D.降低芯片功耗

3.刻蚀工艺是为了？

A.去除不需要的材料

B.增加芯片厚度

C.改变芯片颜色

D.软化芯片材料

4.哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.二氧化碳

C.氯气

D.氮气

5.化学机械抛光工艺的作用是？

A.提高芯片散热性

B.使晶圆表面平整

C.增强芯片抗干扰能力

D.改变芯片形状

6.离子注入的主要目的是？

A.改变材料的电学性能

B.增加材料密度

C.使材料变软

D.改变材料颜色

7.以下哪种不属于工艺整合中的常见清洗方法？

A.湿法清洗

B.干洗

C.超声清洗

D.静电清洗

8.沉积工艺的主要功能是？

A.去除晶圆表面杂质

B.在晶圆表面形成薄膜

C.改变晶圆形状

D.增强晶圆柔韧性

9.哪种沉积工艺可在较低温度下进行？

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.原子层沉积

D.蒸发沉积

10.在工艺整合中，良率的含义是？

A.芯片的美观程度

B.合格产品占总产量的比例

C.芯片的运行速度

D.芯片的存储容量

多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合涉及的主要工艺环节有？

A.光刻

B.刻蚀

C.沉积

D.封装

2.影响光刻工艺精度的因素有？

A.光刻胶性能

B.光源波长

C.光刻机精度

D.晶圆平整度

3.刻蚀工艺可分为？

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

4.化学机械抛光工艺的影响因素包括？

A.抛光液成分

B.抛光垫材质

C.抛光压力

D.抛光速度

5.离子注入工艺中，离子的能量和剂量会影响？

A.材料的导电性

B.材料的晶格结构

C.材料的硬度

D.材料的颜色

6.常见的沉积工艺包括？

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.原子层沉积

D.电镀沉积

7.清洗工艺的目的是？

A.去除晶圆表面杂质

B.防止颗粒污染

C.改善材料表面性质

D.增加芯片尺寸

8.工艺整合中的检测环节包括？

A.电学性能检测

B.外观检测

C.化学成分检测

D.机械性能检测

9.封装工艺的作用有？

A.保护芯片

B.实现电气连接

C.散热

D.增加芯片重量

10.提高工艺整合良率的方法有？

A.优化工艺参数

B.加强检测控制

C.改善生产环境

D.提高设备精度

判断题（每题2分，共10题）

1.工艺整合只需要关注光刻工艺即可。（）

2.光刻工艺中，光源波长越短，精度越高。（）

3.湿法刻蚀比干法刻蚀更具方向性。（）

4.化学机械抛光工艺只能用于晶圆表面的平整。（）

5.离子注入会改变材料的化学组成。（）

6.沉积工艺只能在高温下进行。（）

7.清洗工艺对工艺整合的良率影响不大。（）

8.封装工艺不影响芯片的性能。（）

9.工艺整合中的检测环节可有可无。（）

10.提高设备精度可以有效提高工艺整合的良率。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本流程。

光刻基本流程为：首先在晶圆表面涂覆光刻胶，接着通过光刻机将掩膜版上的电路图案转移到光刻胶上，然后进行曝光，使光刻胶发生化学反应，最后显影去除不需要的光刻胶部分。

2.刻蚀工艺有哪些分类？各有什么特点？

刻蚀分干法和湿法。干法刻蚀方向性好，精度高，适合精细图案；湿法刻蚀速度快，成本低，但方向性差，易过刻。

3.化学机械抛光工艺的原理是什么？

其原理是通过化学腐蚀和机械研磨共同作用。抛光液中的化学成分与晶圆表面材料发生化学反应，生成容易去除的物质，再通过抛光垫与晶圆表面的机械摩擦去除这些物质，实现表面平整。

4.工艺整合中良率的重要性体现在哪些方面？

良率反映了生产过程的稳定性和工艺的成熟度。高良率可降低生产成本，提高产品竞争力，增加企业利润，还能保证产品质量和供应稳定性。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻工艺在工艺整合中的关键作用。

光刻是工艺整合关键，能将设计图案精准复制到晶圆，决定芯片电路布局和尺寸精度。其精度影响芯片性能和功能，先进光刻技术推动芯片性能提升和尺寸缩小。

2.分析化学机械抛光工艺在提高芯片性能方面的作用。

化学机械抛光使晶圆表面平整，利于后续工艺进行。可减少表面缺陷，提高芯片电学性能一致性；降低表面粗糙度，提升光刻等工艺的精度，从而提高芯片整体性能。

3.探讨工艺整合中