CN119855156A 存储器件及其制作方法 （北京大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855156A(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510332312.0

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号

(72)发明人王宗巍罗天阳蔡一茂张海粟

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224

专利代理师鲁盛楠

(51)Int.CI.

H10B43/35(2023.01)

H10B43/20(2023.01)

H10B43/40(2023.01)

权利要求书2页说明书12页附图13页

(54)发明名称

存储器件及其制作方法

(57)摘要

CN119855156A本公开涉及一种存储器件及其制作方法；存储器件包括：衬底；源线，设于衬底上与衬底连接；多条选通线，设于源线远离衬底的一侧，多条选通线沿垂直于衬底的第一方向间隔排列；沟道结构，沿第一方向穿过多条选通线，沟道结构的底部与源线连接；沿选通线指向沟道结构的中心方向，沟道结构包括依次设置的栅绝缘层、电荷捕获层、隧穿层、沟道层和芯柱，芯柱包括沿远离源线的方向依次设置的第一隔离层、导电层和第二隔离层；位线，设于沟道结构远离源线的一侧。能够减少读取操作对存储单元的充放电时间，并

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1.一种存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

源线，设于所述衬底上与所述衬底连接；

多条选通线，设于所述源线远离所述衬底的一侧，多条所述选通线沿垂直于所述衬底的第一方向间隔排列；

沟道结构，沿所述第一方向穿过多条所述选通线，所述沟道结构的底部与所述源线连接；沿所述选通线指向所述沟道结构的中心方向，所述沟道结构包括依次设置的栅绝缘层、电荷捕获层、隧穿层、沟道层和芯柱，所述芯柱包括沿远离所述源线的方向依次设置的第一隔离层、导电层和第二隔离层；

位线，设于所述沟道结构远离所述源线的一侧。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述多条选通线包括沿所述第一方向依次排列的源选通线、多条字线以及漏选通线。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述第一隔离层的顶面低于所述多条字线，所述第二隔离层的底面高于所述多条字线，所述导电层设于所述第一隔离层的顶面与所述第二隔离层的底面之间。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的存储器件，其特征在于，所述源线与所述沟道结构一一对应连接；或者，相邻的多个所述沟道结构连接同一所述源线。

5.一种存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

源线，设于所述衬底上与所述衬底连接；

存储串，设于所述源线远离所述衬底的一侧，所述存储串通过所述源线与所述衬底连接，所述存储串包括沿垂直于所述衬底的第一方向依次设置的下选通管、多个存储单元以及上选通管，所述存储单元包括存储晶体管以及与所述存储晶体管并联的旁路电阻；

多条字线，沿所述第一方向间隔排列，所述字线与同层设置的所述存储晶体管的控制

栅连接；

源选通线，设于所述多条字线的下方，所述源选通线与所述下选通管的控制栅连接；

漏选通线，设于所述多条字线的上方，所述漏选通线与所述上选通管的控制栅连接；

位线，设于所述上选通管远离所述衬底的一侧，所述位线与至少一个所述存储串的所述上选通管连接。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其特征在于，所述源线与所述存储串一一对应连接；或者，相邻的多个所述存储串连接同一所述源线。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述存储串沿平行于所述衬底的第二方向排成多列，多列所述存储串沿第三方向间隔排列，所述第三方向平行于所述衬底且与所述第二方向相交；

所述位线沿所述第二方向在所述存储串上延伸，每条所述位线与每列所述存储串连

接。

8.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底的一侧形成源线；

在所述源线远离所述衬底的一侧形成叠层结构，所述叠层结构包括交替的绝缘层和牺

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