CN119225111A 光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法 （三星电子株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119225111A(43)申请公布日2024.12.31

(21)申请号202410290458.9

(22)申请日2024.03.14

(30)优先权数据

10-2023-00851572023.06.30KR

(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道

(72)发明人曹宇镛姜勋金尚昱金禹成吴兴锡李熙俊郑芝银

(74)专利代理机构北京市立方律师事务所

11330

专利代理师李娜谢晨

(51)Int.CI.

GO3F1/36(2012.01)

GO3F7/20(2006.01)

权利要求书3页说明书13页附图32页

(54)发明名称

光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法

(57)摘要

CN119225111A公开了光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法。所述半导体制作方法包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正以生成校正后的布局；以及通过使用用所述校正后的布局制造的光掩模来在衬底上形成光刻胶图案。执行所述光学邻近校正包括：在所述设计图案的轮廓上生成形状点；产生所述形状点的散列值；选择代表第一形状点的第一独特形状点；确定所述第一独特形状点的第一校正偏置；以及通过将所述第一校正偏置共同应用于所述第一形状点来创建校正图案。产生所述散列值包括：生成目标形状点周

CN119225111A

S31

S31

S20

将布局的分块中的设计图案划分成多个形状点

产生每个形状点的散列值

基于散列值选择独特形状点

选择包括独特形状点的目标分块

对目标分块执行OPC以计算独特形状点的校正偏置

向具有与独特形状点的散列值相同的散列值的形状点应用相同校正偏置

使得OPC库能够累积针对独特形状点的校正偏置

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CN119225111A权利要求书1/3页

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1.一种半导体制作方法，所述半导体制作方法包括：

对半导体布局的设计图案执行光学邻近校正以生成校正后的布局；以及

使用用所述校正后的布局制造的光掩模在衬底上形成光刻胶图案，

其中，执行所述光学邻近校正包括：

由至少一个处理器在所述设计图案的轮廓上生成多个形状点；

针对所述多个形状点中的每一个形状点产生相应的散列值；

基于所述相应的散列值，从所述多个形状点中选择第一独特形状点，其中，所述第一独特形状点代表第一形状点；

确定所述第一独特形状点的第一校正偏置；以及

通过将所述第一校正偏置共同应用于所述第一形状点来创建校正图案，

其中，产生所述相应的散列值包括：

生成目标形状点周围的查询范围；以及

基于所述查询范围内的几何分析，产生所述相应的散列值。

2.根据权利要求1所述的半导体制作方法，其中，所述第一形状点具有与所述第一独特形状点的散列值相同的散列值。

3.根据权利要求1所述的半导体制作方法，其中，所述第一校正偏置包括所述第一形状点从所述第一形状点的相应原始位置起的移动方向和移动距离。

4.根据权利要求1所述的半导体制作方法，其中，执行所述光学邻近校正还包括：

基于所述相应的散列值，从所述多个形状点中选择第二独特形状点，其中，所述第二独特形状点代表第二形状点；

计算所述第二独特形状点的第二校正偏置；以及

将所述第二校正偏置共同应用于所述第二形状点，

其中，所述第二校正偏置不同于所述第一校正偏置。

5.根据权利要求4所述的半导体制作方法，其中，

所述第一形状点具有第一散列值，

所述第二形状点具有第二散列值，并且

所述第一散列值和所述第二散列值彼此不同。

6.根据权利要求1所述的半导体制作方法，其中，执行所述光学邻近校正还包括：在光学邻近校正库中累积所述第一独特形状点的所述第一校正偏置。

7.根据权利要求1所述的半导体制作方法，其中，

所述布局包括多个分块，并且

对所述多个分块当中的目标分块选择性地执行所述光学邻近校正，所述目标分块包括所述第一独特形状点。

8.根据权利要求1所述的半导体制作方法，其中，

所述设计图案具有由第一方向上的线和第二方向上的线形成的多边形形状，所述第一方向和所述第二方向与所述衬底的上表面平行，所述第二方向与所述第一方向相交，并且

所述校正图案是自由形式校正图案。

9.根据权利要求1所述的半导体制作方法，所述半导体制作方法还包括：对所述校正后的布局执行掩模规则检查步骤。

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