CN120008776A 一种压力检测集成微纳传感器及其制作与检测方法 （宁波大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120008776A(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510072004.9

(22)申请日2025.01.17

(71)申请人宁波大学

地址315211浙江省宁波市江北区风华路

818号

(72)发明人陈晓鹏凌思佳肖榆静仝晗阳檀怡雯尹加文简家文金庆辉

(74)专利代理机构宁波甬楹专利代理事务所(普通合伙)33447

专利代理师陈其明

(51)Int.CI.

GO1L1/18(2006.01)

G01D21/02(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种压力检测集成微纳传感器及其制作与检测方法

(57)摘要

CN120008776A提供一种压力检测集成微纳传感器，基底单晶硅上面设置压力检测单元，并有温度检测单元为其提供补偿；单晶硅硅片上部采用深刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺镂空地开设一个空腔，空腔上面保留部分单晶硅硅片作为形变架子而其他部分镂空，空腔上面至形变架子之间设置多晶硅变形薄膜，形变架子的左右与上下设置4组硅压阻条，引出导电引线连接第一接线焊盘连接外部检测电路；4组硅压阻条连接形成四电阻惠斯通电桥，使其输出电压与压力值成正比；还提供其制作方

CN120008776A

CN120008776A权利要求书1/2页

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1.一种压力检测集成微纳传感器，包括作为基底的单晶硅硅片(11),其特征在于，所述单晶硅硅片(11)上面设置检测单元，所述检测单元包括压力检测单元，为了消除工况环境温度变化给高精度测量带来的干扰，给压力检测参数提供相应补偿，另设置有温度检测单元；压力的最终检测数值以压力检测单元检测的压力参数为基础数据，同时以温度检测单元检测到的温度参数给压力检测单元检测的压力参数提供补偿；所述压力检测单元如此设置：所述单晶硅硅片(11)上部采用深刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺镂空地开设一个空腔(9),空腔(9)上面保留部分单晶硅硅片(11)作为形变架子而其他部分镂空，空腔(9)上面保留的形变架子与其他部分镂空整体呈左右对称与上下对称，空腔(9)上面至形变架子之间设置多晶硅变形薄膜(10),形变架子的左右与上下设置4组硅压阻条(5),所述硅压阻条(5)呈条状，由硅片掺杂硼离子并形成曲折往返形状，4组硅压阻条(5)分别引出导电引线(2)连接第一接线焊盘(1),用于各自连接外部电源与外部检测电路；4组相同的硅压阻条(5)依次连接，形成四电阻惠斯通电桥，使惠斯通电桥的输出电压与压力值成正比。

2.如权利要求1所述的压力检测集成微纳传感器，其特征在于，所述压力检测单元如此形成，采用硼离子注入工艺在硅晶圆上制作压力敏感电阻，分两次注入硼离子，首次注入全部需注入区域，第二次仅注入重掺杂区，而形成重掺杂区；采用反应离子刻蚀RIE工艺和深刻蚀工艺DRIE图形化腐蚀孔(3),形成一系列腐蚀孔(3);将经上述处理后的单晶硅硅片

(11)置于TMAH腐蚀液中进行腐蚀，形成一个六边形的空腔(9);用多晶硅材料对所述一系列腐蚀孔(3)进行填充密封，包括腔体顶面的腔体所有内表面同时被覆盖上一层多晶硅薄膜，腔体顶面的六边形多晶硅薄膜即作为所述多晶硅变形薄膜(10)。

3.如权利要求1所述的压力检测集成微纳传感器，其特征在于，所述作为形变架子的空腔(9)上面单晶硅保留部分呈“米”字形，并且“米”字中间相交部分成加粗矩形块的结构，“米”字形的“十”字部分较细，“米”字形的斜“X”部分较粗，所述4组硅压阻条(5)分别设置在“米”字形的“十”字部分横条(4)与纵条(6)的尽端位置。

4.如权利要求3所述的压力检测集成微纳传感器，其特征在于，所述一系列腐蚀孔(3)一部分沿所述“米”字形的斜“X”部分两侧布置，另一部分沿“米”字中间加粗矩形块的上下两侧布置。

5.如权利要求1所述的压力检测集成微纳传感器，其特征在于，所述温度检测单元也采用硼离子注入工艺在硅晶圆上制作，包括轻掺杂带(8)与重掺杂区，轻掺杂区形成蛇形曲折往返的带形状，重掺杂区呈矩形，接在轻掺杂带(8)的首末端部，其上覆盖着用于引出硅热敏电阻信号的第二接线焊盘(7);当温度改变时，硅热敏电阻阻值会发生相应的改变。

6.如权利要求1所述的压力检测集成微纳传感器，其特征在于，所述压力检测集成微纳传感器将其衬底的至少一半区域用作压力检测单元区域，留下的