CN118495456A 互补式金氧半微机电压力传感器的制作方法 （王传蔚）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118495456A

(43)申请公布日2024.08.16

(21)申请号202410014373.8

(22)申请日2024.01.04

(30)优先权数据

1121051192023.02.14TW

(71)申请人王传蔚

地址中国台湾新竹县竹北市家兴三街26号

12楼之1

(72)发明人王传蔚

(74)专利代理机构北京同恒源知识产权代理有

限公司11275

专利代理师赵荣之

(51)Int.Cl.

B81C1/00(2006.01)

G01L1/16(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图8页

(54)发明名称

互补式金氧半微机电压力传感器的制作方

法

(57)摘要

本发明公开一种互补式金氧半微机电压力

传感器的制作方法，首先提供一互补式金氧半装

置，其包括依序由下而上设置的一半导体基板、

一第一氧化绝缘层、一有掺杂多晶硅层、一第二

氧化绝缘层、一图案化多晶硅层与一金属布线

层。图案化多晶硅层包括未掺杂多晶硅。接着，移

除金属布线层的外露的氧化绝缘结构，并形成一

第一金属层于第二氧化绝缘层、图案化多晶硅层

与金属布线层上。此外，移除第一金属层的部分

与氧化绝缘结构的部分，以露出未掺杂多晶硅，

并形成一腔体与一孔洞。形成一第二金属层于第

A一金属层上，以密封孔洞。

6

5

4

5

9

4

8

1

1

N

C

CN118495456A权利要求书1/2页

1.一种互补式金氧半微机电压力传感器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一互补式金氧半装置，其包括依序由下而上设置的一半导体基板、一第一氧化绝

缘层、一有掺杂多晶硅层、一第二氧化绝缘层、一图案化多晶硅层与一金属布线层，所述金

属布线层设于所述第二氧化绝缘层与所述图案化多晶硅层上，所述图案化多晶硅层包括未

掺杂多晶硅，所述第二氧化绝缘层具有一内区域与环绕所述内区域的一外区域，所述未掺

杂多晶硅位于所述内区域上，所述金属布线层包括露出于外且设于所述未掺杂多晶硅上的

一氧化绝缘结构；

形成一遮罩于所述内区域的正上方的所述金属布线层上，以移除所述外区域的正上方

的所述氧化绝缘结构，从而露出所述第二氧化绝缘层与所述图案化多晶硅层；

移除所述遮罩，并形成一第一金属层于所述第二氧化绝缘层、所述图案化多晶硅层与

所述金属布线层上；

移除所述内区域的正上方的所述第一金属层的部分与所述氧化绝缘结构，以露出所述

未掺杂多晶硅，并于所述内区域的正上方形成一腔体与其连通的一孔洞；以及

形成一第二金属层于所述第一金属层上，以密封所述孔洞，从而形成一互补式金氧半

微机电压力传感器。

2.如权利要求1所述的互补式金氧半微机电压力传感器的制作方法，其特征在于，所述

金属布线层还包括多个图案化金属层与多个金属通孔，所述多个图案化金属层嵌入所述氧

化绝缘结构中，所述多个图案化金属层彼此相隔，并依序由下而上设置，最下方的所述图案

化金属层与所述图案化多晶硅层相隔，所述多个金属通孔贯穿所述氧化绝缘结构与所述多

个图案化金属层，每一所述金属通孔的一端位于所述第二氧化绝缘层的所述内区域上，另

一端露出于外，最上方的所述图案化金属层具有贯穿自身的一开口，所述开口位于所述内

区域的正上方，并填充有所述氧化绝缘结构，所述遮罩位于所述最上方的所述图案化金属

层与所述氧化绝缘结构上，所述第一金属层位于所述氧化绝缘结构、所述多个图案化金属

层与所述多个金属通孔上。

3.如权