CN116344667A 一种具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜的制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116344667A(43)申请公布日2023.06.27

(21)申请号202211440425.5

(22)申请日2022.11.17

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人钟志亲李南航黄岑

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

HO1L31/0216(2014.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜的制作方法

(57)摘要

CN116344667A一种具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜的制作方法，属于半导体技术领域的薄膜制备领域。本发明通过在样品台上放置石英玻璃板，电隔绝等离子体增强化学气相沉积系统的阳极和阴极，在太阳能电池板衬底下方通过丝网印刷多个同心圆环形金属电极并通过导线将各圆环电极与样品台阴极相连保持相同电位，使得在PECVD过程中未沉积圆环形金属电极的太阳能电池板上方处的射频偏压降低，从而显著降低该区域的生长速率；而已沉积金属电极的太阳能电池板的上方区域，沉积的金属电极对电场的感应降低电位，相比未沉积金属电极的区域增加了偏压，使得氮化硅薄膜的沉积速率明显高于未沉积

CN116344667A

太阳能电池板

氮化硅薄膜

CN116344667A权利要求书1/1页

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1.一种具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜制作方法，其特征在于，通过在样品台上放置石英玻璃板，电隔绝等离子体增强化学气相沉积系统的阳极和阴极，在太阳能电池板衬底下方通过丝网印刷多个同心圆环形金属电极并通过导线将各圆环电极与样品台阴极相连保持相同电位，使得在PECVD过程中未沉积圆环形金属电极的太阳能电池板上方处的射频偏压降低，从而显著降低该区域的生长速率；而已沉积金属电极的太阳能电池板的上方区域，沉积的金属电极对电场的感应降低电位，相比未沉积金属电极的区域增加了偏压，使得氮化硅薄膜的沉积速率明显高于未沉积金属电极上方的沉积速率，最终形成了具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜制作方法，其特征在于，所述石英玻璃板的尺寸大于或者等于太阳能电池板的尺寸，厚度为0.5～3mm。

3.根据权利要求1所述的具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜制作方法，其特征在于，所述的金属电极为多个同心相互嵌套的圆环形金属电极。

4.根据权利要求1或3所述的具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜制作方法，其特征在于，所述的多个圆环形金属电极之间用金属导线同样品台阴极相连，使所有金属圆环电极与阴极保持相同的电位。

5.根据权利要求3或4所述的同心圆环形金属电极，其特征在于，所述的多个圆环形金属电极的间距为4～6cm。

6.根据权利要求1所述的具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜制作方法，其特征在于，在样品台上依次放置石英玻璃板和太阳能电池板时，采用PECVD沉积得到的氮化硅薄膜，其厚度范围为60nm～500nm;其中，涟漪形谷底薄膜厚度为60～75nm,涟漪形峰值薄膜厚度为450nm～500nm。

7.根据权利要求1所述的具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜制作方法，其特征在于，所述采用PECVD在太阳能电池板上沉积氮化硅薄膜时，气体气氛为硅烷、氮气和氨气的混合气体，其中，硅烷流量为200sccm～250sccm,氮气流量为150sccm～200sccm,氨气流量为40sccm～50sccm;气压为0.6Torr,半导体衬底温度为200℃~250℃,射频功率为70W~

80W。

CN116344667A说明书1/4页

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一种具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于半导体薄膜制造领域，尤其涉及一种具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜的制作方法。

背景技术

[0002]氮化硅(Si?N?)薄膜是一种应用广泛的介质材料。作为非晶绝缘物质，氮化硅膜的介质特性优于二氧化硅膜，具有对可动离子阻挡能力强、结构致密、针孔密度