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光催化剂合成及研究现状文献综述

1.1半导体氧化物光催化剂合成及研究现状

Wang[16]等以SnCl2为反应原料，采用水热法合成了极薄的SnO2纳米片，纳米片最小厚度为1.5-3nm，该合成产物的BET多孔比表面积达到180m2/g，具有较高的锂存贮能力和优异的循环性能。Dai[17]等以SnCl4·5H2O、HF、H2O为原料，采用水热反应成功制备出了SnO2纳米花，并研究了SnO2纳米花对罗丹明B染料的光催化降解能力。在实验中表明，在光催化性能方面，SnO2纳米棒对罗丹明B展现出了非常良好的光催化降解的性能。在之后的各方研究中，Cheng[18]等采用水热法以SnCl4、NaOH和PEG为原料合成出了SnO2纳米棒。光催化性能结果显示比其他文献所合成的SnO2催化剂性能更好。

章伊婷等[19]采用水热法制备了纳米层状CdS，以对甲基橙这种有机污染物的降解效果作为光催化性能的指标。通过对其进行电子显微镜与X射线衍射分析其晶体内部结构，表明其所制备的样品为六方纤锌矿结构CdS，拥有厚度位10nm的片状纳米结构，整体展现为片层结构。而这样的内部结构的CdS拥有更好的光催化效率。

刘宗瑞[20]等通过XRD、SEN和TEM表征分析，发现合成出的CdS纳米晶体结构为标准六方相，在随后的实验中，运用BET法测定其比表面积，并通过之前的实验数据进行建模分析，发现降解速率会有更大的提升，在随后的进一步实验中证明在18h下制备CdS纳米微粒可以获得催化活性更强的晶体，对甲基橙的降解率提高到了八成。

杨慧[21]等发现不同的溶剂可以改变CuO纳米材料的形貌，当溶剂为水时，制备出了菊花状CuO纳米材料；当溶剂为乙醇时，CuO纳米材料形状为银莲花状；当溶剂为乙二醇时，合成出了花椰菜状CuO纳米材料。这说明反应介质对CuO纳米材料的形貌有重要影响。

综上所述，采用水热法合成半导体材料过程中，半导体氧化物在紫外光的作用下的光催化降解率较低，降解时间较长，半导体氧化物的光催化性能仍有待提高。

1.2离子掺杂光催化剂合成及研究现状

Cho[22]为了改变六边形ZnO纳米线的形状，以CH4N2S为掺杂剂，采用温度更低的水热反应，合成出了S掺杂ZnO纳米线。并通过SEM等分析，表明合成出了六角星形S掺杂ZnO纳米线。其原因为S可以改变电荷的局部变化，在顶点处比在边缘处更强，导致合成出的ZnO纳米线截面形状发生改变。

吴奇[23]等发现ZnO掺杂改性比TiO2掺杂更方便，且需要的反应条件更低，稳定性好，且光催化性能更高，在污水处理方面有更大的展望。肖逸帆[24]等采用水热法制备了晶粒更小，且不会发生团聚现象的TiO2掺杂纳米材料。光催化性能等测试表明，掺杂后的TiO2纳米材料对可见光吸收增强，对比单一的TiO2纳米材料，稳定性更改，光催化性能更强，尤其是对MO的降解效果更佳明显，并且不会造成二次污染在废水处理领域有广阔的应用前景。刘禹硕[25]等成功制备出以Sb、Ru等稀有金属进行掺杂改性处理的钛基SnO2电极，电催化降解性能测试结果显示，该电极对C6H5NO3的降解率较高。张晓菲等[26]研究发现，掺杂5%Sn的TiO2纳米材料的光催化性能比单一的TiO2纳米材料的光催化性能高。

综上所述，离子掺杂改性的半导体材料，对比单一的材料，其具有以下优势，改变了单一物质的形貌，使晶体向特定方向生长，增大了其比表面积，增加其对紫外光的利用率。金属离子掺杂可以在半导体晶格中引入缺陷或改变结晶度，降低其空穴-电子的复合几率，提高光生电子和光生空穴的迁移成功率，进而提高光催化性能。

1.3异质结构光催化剂合成及研究现状

Wang等[27]以C4H8O2为原材料，采用水热法合成出了ZnO/SnO2纳米复合材料，光催化结果表明，ZnO/SnO2纳米复合材料在紫外光照射下对MO的光催化降解效率高于单一的ZnO或SnO2纳米材料。

贡昀等[28]采用水热法合成了还原型氧化石墨烯/硫化镉纳米棒(RGO/CdS）复合材料，采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）等方法对产物进行了表征。以C2H8N2溶液调节Cds颗粒的成核和生长速率，通过采用水热法合成了结构化的RGO/Cds复合材料。紫外分析表明，RGO/CdS禁带宽度为2.81eV。光催化降解实验表明，RGO/CdS对甲基橙具有良好的光催化降解作用，当甲基橙溶液质量浓度为20mg/L，RGO/CdS用量为0.2wt%时，在可见光反应480min，甲基橙降解率可达96.3%。

张文康[29]等人采用沉淀法制备了CdS/g-C3N4复合光催化剂样品，通过甲基橙溶液的光催化降解评价产品的光催化活性，样品制备选择为大比例范围，CdS与g