CN117233215A 二维柔性光电气体传感器及其制作方法 （武汉科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117233215A(43)申请公布日2023.12.15

(21)申请号202311115435.6

(22)申请日2023.08.31

(71)申请人武汉科技大学

地址430081湖北省武汉市青山区和平大

道947号

(72)发明人王文照刘钰倩

(74)专利代理机构上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙)31343

专利代理师周冬文

(51)Int.CI.

GO1N27/12(2006.01)

权利要求书2页说明书14页附图3页

(54)发明名称

二维柔性光电气体传感器及其制作方法

(57)摘要

CN117233215A本发明提供了一种二维柔性光电气体传感器及其制作方法，用于在光照条件下，感知待测气体并产生光电流和待测气体带来的变化的电流，以对待测气体进行检测；包括：衬底、栅电极层、介质层以及电极层；其中，栅电极层和介质层沿远离衬底的方向依次堆叠于衬底的表面；混合相过渡金属硫族化合物膜层，形成于介质层的表面；混合相过渡金属硫族化合物膜层中的光电流可受电压调控；过渡金属硫族化合物膜层，堆叠于混合相过渡金属硫族化合物膜层的表面；其中，电极层排列于过渡金属硫族化合物膜层的表面；过渡金属硫族化合物膜层用于感知待测气

CN117233215A

题。

CN117233215A权利要求书1/2页

2

1.一种二维柔性光电气体传感器，用于在光照条件下，感知待测气体并产生光电流和待测气体带来的变化的电流，以对待测气体进行检测；其特征在于，包括：

衬底、栅电极层、介质层以及电极层；其中，所述栅电极层和所述介质层沿远离所述衬底的方向依次堆叠于所述衬底的表面；

混合相过渡金属硫族化合物膜层，形成于所述介质层的表面；所述混合相过渡金属硫族化合物膜层中的电流可受电压调控；

过渡金属硫族化合物膜层，堆叠于所述混合相过渡金属硫族化合物膜层的表面；其中，所述电极层排列于所述过渡金属硫族化合物膜层的表面；所述过渡金属硫族化合物膜层用于在光照条件下产生光电流；

其中，所述混合相过渡金属硫族化合物膜层与所述过渡金属硫族化合物膜层均用于感知待测气体，并产生变化的电流；其中，所述混合相过渡金属硫族化合物膜层与所述过渡金属硫族化合物膜层中均包括同种过渡金属硫族化合物。

2.根据权利要求1所述的二维柔性光电气体传感器，其特征在于，所述混合相过渡金属硫族化合物膜层与所述过渡金属硫族化合物膜层中均包括MoS?。

3.根据权利要求2所述的二维柔性光电气体传感器，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物膜层为P型过渡金属硫族化合物膜层。

4.根据权利要求3所述的二维柔性光电气体传感器，其特征在于，所述P型过渡金属硫族化合物膜层的材料为P型半导体2H相MoS?薄膜。

5.根据权利要求4所述的二维柔性光电气体传感器，其特征在于，所述P型过渡金属硫族化合物膜层的厚度为0.65nm~2nm。

6.根据权利要求5所述的二维柔性光电气体传感器，其特征在于，所述混合相过渡金属硫族化合物膜层的材料为1T@2H-MoS?薄膜。

7.根据权利要求6所述的二维柔性光电气体传感器，其特征在于，所述混合相过渡金属硫族化合物膜层的厚度为6nm～10nm。

8.一种二维柔性光电气体传感器的制作方法，用于制备权利要求1-7任一项所述的二维柔性光电气体传感器，其特征在于，包括：

提供一所述衬底；在所述衬底上沿远离所述衬底的方向上依次形成所述栅电极层和所述介质层；

形成所述混合相过渡金属硫族化合物膜层；所述混合相过渡金属硫族化合物膜层形成于所述介质层的表面；

形成所述过渡金属硫族化合物膜层；所述过渡金属硫族化合物膜层堆叠于所述混合相过渡金属硫族化合物膜层的表面；

在所述过渡金属硫族化合物膜层的表面形成所述电极层；并对所述电极层进行去胶。

9.根据权利要求8所述的二维柔性光电气体传感器的制作方法，其特征在于，形成所述混合相过渡金属硫族化合物膜层的方法为：脉冲激光诱导法。

10.根据权利要求9所述的二维柔性光电气体传感器的制作方法，其特征在于，形成所述过渡金属硫族化合物膜层，包括：

形成所述P型过渡金属硫族化合物膜层。

11.根据权利要求10所述的二维柔性光电气体传感器的制作方法，其特征在于，形成所

CN117233215A权