CN117198877A 高电子迁移率晶体管及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117198877A(43)申请公布日2023.12.08

(21)申请号202210597758.2

(22)申请日2022.05.30

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人易延才蔡纬撰邱劲砚柯贤文

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师王锐

(51)Int.CI.

H01L21/335(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

(57)摘要本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其

(57)摘要

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管的方法主要包括先形成一缓冲层于基底上，然后形成一阻障层于缓冲层上，形成一P型半导体层于阻障层上，形成一氮化钛层于P型半导体层上且氮化钛层的氮对钛比例大于1,形成一保护层于氮化钛层以及阻障层上，去除该保护层以形成一开口，形成一栅极电极于开口内，再形成一源极电极以及一漏极电极于栅极电极两侧。

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CN117198877A

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CN117198877A权利要求书1/1页

1.一种制作高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：

形成缓冲层于基底上；

形成阻障层于该缓冲层上；

形成P型半导体层于该阻障层上；以及

形成氮化钛层于该P型半导体层上，其中该氮化钛层的氮对钛比例大于1。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

形成保护层于该氮化钛层以及该阻障层上；

去除该保护层以形成开口；

形成栅极电极于开口内；以及

形成源极电极以及漏极电极于该栅极电极两侧。

3.如权利要求1所述的方法，其中该氮化钛层的(200)/(111)晶面比例大于0.6。

4.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层包含氮化镓。

5.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含氮化铝镓(A1Ga1?N)。

6.如权利要求1所述的方法，其中该P型半导体层包含P型氮化镓。

7.一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT),其特征在于，包含：

缓冲层，设于基底上；

阻障层，设于该缓冲层上；

P型半导体层，设于该阻障层上；以及

氮化钛层，设于该P型半导体层上，其中该氮化钛层的氮对钛比例大于1。

8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，还包含：

保护层，设于该氮化钛层以及该阻障层上；

栅极电极，设于该保护层以及该P型半导体层上；以及

源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。

9.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该氮化钛层的(200)/(111)晶面比例大于0.6。

10.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。

11.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该阻障层包含氮化铝镓(AlGa?N)。

12.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型半导体层包含P型氮化镓。

CN117198877A说明书1/3页

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高电子迁移率晶体管及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。

背景技术

[0002]以氮化镓基材料(GaN-basedmaterials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elasticmodulus)、高压电与压阻系数(highpiezoelectricandpiezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通信元件等应用的元件的制作。

发明内容

[0003]本发明一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管的方法，其主要先形成一缓冲层于基底上，然后形成一