CN117368154A 探针及其制作方法与等离激元的光纤传感器 （南京信息工程大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117368154A(43)申请公布日2024.01.09

(21)申请号202311246210.4

(22)申请日2023.09.26

(71)申请人南京信息工程大学

地址210000江苏省南京市江北新区宁六

路219号

(72)发明人倪海彬蔡统王婷婷颜二逊吴文杰许海李卓朱文兵

倪波常建华

(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224

专利代理师马进

(51)Int.CI.

GO1N21/552(2014.01)

GO1N21/01(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

探针及其制作方法与等离激元的光纤传感

器

(57)摘要

CN117368154A本发明公开了探针及其制作方法与等离激元的光纤传感器，其中，探针设于外置的光纤传感器的光纤的表面；所述探针包括环形腔阵列；所述环形腔阵列上设有金纳米线阵列；所述环形腔阵列上部分区域设有4-巯基苯甲酸层；所述环形腔阵列上其余区域设有聚二甲基硅氧烷层；所述环形腔阵列上刻蚀多个环形腔。本发明能够通过光谱仪检测结构激发表面等离激元共振的光

CN117368154A

金纳米线阵列

4-巯基苯甲酸层聚二甲基硅氧烷层

4-巯基苯甲酸层

环形腔环形腔阵列PS纳米微球

环形腔

环形腔阵列

CN117368154A权利要求书1/2页

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1.一种探针，其特征在于，所述探针设于外置的光纤传感器的光纤的表面；

所述探针包括环形腔阵列；

所述环形腔阵列上设有金纳米线阵列；

所述环形腔阵列上部分区域设有4-巯基苯甲酸层；

所述环形腔阵列上其余区域设有聚二甲基硅氧烷层；

所述环形腔阵列上刻蚀有多个环形腔。

2.根据权利要求1所述的探针，其特征在于，

所述4-巯基苯甲酸层的厚度为：40-60nm;

和/或，所述聚二甲基硅氧烷层的厚度为：40-60nm。

3.根据权利要求1所述的探针，其特征在于，所述环形腔的宽度小于等于50nm。

4.一种探针的制作方法，其特征在于，包括

制备环形腔阵列；

制备金纳米线阵列；

将金纳米线阵列覆盖在环形腔阵列上，获得探针。

5.根据权利要求4所述的探针的制作方法，其特征在于，所述制备环形腔阵列包括以下步骤：

采用微流注射法制备PS纳米微球单层；

将基板置于0?等离子体中清洁后，将PS纳米微球单层覆盖在基板上，并干燥；

将硅胶旋涂液旋涂在基板上的PS纳米微球之间，使PS纳米微球中部和下部均包裹于硅胶旋涂液中，在空气中干燥1-3h,获得硅胶旋涂结构；

通过RIE工艺减小PS纳米微球中部的直径，在PS纳米微球中部与硅胶旋涂结构之间形成环形腔；

在部分区域的PS纳米微球上部的上表面以及硅胶旋涂结构的上表面涂覆4-巯基苯甲酸，待4-巯基苯甲酸在常用烘干箱80℃干燥1-3h,并在其余区域的PS纳米微球上部的上表面以及硅胶旋涂结构的上表面涂覆聚二甲基硅氧烷层，待聚二甲基硅氧烷层在常用烘干箱80℃干燥1-3小时，获得环形腔阵列。

6.根据权利要求5所述的探针的制作方法，其特征在于，

所述4-巯基苯甲酸层的厚度为：40-60nm;

和/或，所述聚二甲基硅氧烷层的厚度为：40-60nm。

7.根据权利要求5所述的探针的制作方法，其特征在于，所述S13将硅胶旋涂液旋涂在基板上的PS纳米微球之间包括：

将第一硅胶旋涂溶液旋涂在基板上的PS纳米微球之间，将PS纳米微球下部和中下部包裹于第一硅胶旋涂溶液中，在空气中干燥1-3h;

将第二硅胶旋涂溶液旋涂在基板上的PS纳米微球之间，将PS纳米微球中上部包裹于第二硅胶旋涂溶液中，在空气中干燥1-3h;

所述第一硅胶旋涂的溶液包括体积比为2:2:1的98wt%的TEOS溶液、去离子水和无水乙醇；

所述第二硅胶旋涂的溶液包括体积比为(1-2):(1-2):(5-7)的98wt%的TEOS溶液、去离子水和无水乙醇。

CN117368154A权利要求书2/2页

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8.根据权利要求4所述的探针的制作方法，其特征在于，所述制备金纳米线阵列包括