CN115988954A 一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115988954A(43)申请公布日2023.04.18

(21)申请号202211671817.2

(22)申请日2022.12.26

(71)申请人南京邮电大学

地址210046江苏省南京市栖霞区文苑路9

号

(72)发明人胥清绪邢瑜周双董帅普勇王海云

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

专利代理师姜梦翔

(51)Int.CI.

H10N70/20(2023.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制

作方法

hBNAu/Ti

hBN

Au/Ti

WO?Cl?

Au/Ti

SiO?

Si

CN115988954A本发明属于电子存储器技术领域，具体提供了一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法，所述忆阻器由下往上依次由衬底、金属电极、二维材料异质结构成；器件的开关比高达103,耐久性超过600圈的循环圈数；本发明提供

CN115988954A

CN115988954A权利要求书1/1页

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1.一种基于二维材料异质结的忆阻器，其特征在于，所述忆阻器由下往上依次由衬底、金属电极、二维材料异质结构成，所述二维材料异质结由二维WO?Cl?薄片压制在二维六方氮化硼hBN薄片上形成。

2.一种基于二维材料异质结的忆阻器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在洁净的衬底上制作图案化的金属电极；在真空或惰性气体氛围下将WO?Cl?块材采用机械剥离法在聚二甲基硅氧烷PDMS上制成二维WO?Cl?薄片，然后将PDMS上的二维WO?Cl?薄片压在衬底的电极上，形成二维WO?Cl?薄片/电极/衬底复合层结构；所述WO?Cl?块材由WCl?和WO?在温度梯度为280-350℃下、使用化学气相输运法制备而成；在真空或惰性气体氛围下将六方氮化硼块材采用机械剥离法在PDMS上制成二维六方氮化硼hBN薄片，然后将PDMS上的二维六方氮化硼薄片压在所述二维WO?Cl?薄片/电极/衬底复合层结构上，此时所述二维六方氮化硼薄片与所述WO?Cl?薄片形成了异质结，制备的器件为异质结/电极/衬底复合层结构。

3.如权利要求2所述的一种基于二维材料异质结的忆阻器的制作方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷PDMS是贴附在载玻片上的。

4.如权利要求2所述的一种基于二维材料异质结的忆阻器的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅片，所述硅片由SiO?氧化层和Si层构成。

5.如权利要求4所述的一种基于二维材料异质结的忆阻器的制作方法，其特征在于，所述硅片总厚度为500±15μm,其中，SiO?氧化层厚度为285nm。

6.如权利要求2所述的一种基于二维材料异质结的忆阻器的制作方法，其特征在于，所述真空或惰性气体氛围由手套箱提供。

7.如权利要求1所述的一种基于二维材料异质结的忆阻器在人工突触的模拟中的应用。

CN115988954A说明书1/4页

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一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于电子存储器领域，具体为一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法。

背景技术

[0002]忆阻器是一种新型的基于电阻切换的存储器件。与传统的存储器件相比，忆阻器具有小型化，低功耗和读写能力强等特点。忆阻器通过改变外加电压来改变其自身的电阻值，可以同时进行逻辑运算和存储大量数据，此外，忆阻器跟神经元突触的工作方式类似，使其有可能成为未来制造人工大脑的基本原件，从而模拟大脑中突触功能，以二维材料为基础的忆阻器在人工突触模拟中扮演着重要的角色。因此，忆阻器在存储和神经形态计算领域具有很大应用前景。

[0003]目前，忆阻器最为常见的结构为金属材料/阻变层材料/金属材料的三明治堆叠结构。其中阻变层材料作为忆阻器件中最为关键的部分，其属性直接决定了器件的电学特性。二维材料种类众多，并拥有着丰富的物理性质，可以作为阻变层材料用来设计和制作各种性能优异的新型忆阻器件。因此，使用新型二维材料是研究新型忆阻器成功的关键要素。此外，相对于三明治垂直堆叠结构忆阻器，采用两端电极的平面结构忆阻器