CN115440583A 芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法 （锐立平芯微电子(广州)有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115440583A(43)申请公布日2022.12.06

(21)申请号202211310053.4(51)Int.CI.

(22)申请日2022.10.25HO1L21/311(2006.01)HO1L21/768(2006.01)

(66)本国优先权数据

202210467657.32022.04.29CN

(71)申请人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司

地址510000广东省广州市黄埔区开发大

道348号建设大厦710室

申请人广东省大湾区集成电路与系统应用

研究院

(72)发明人李其鲁刘海涛丁文波叶甜春陈少民李彬鸿

(74)专利代理机构无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)32260

专利代理师葛莉华

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法

(57)摘要

CN115440583A本发明涉及半导体技术领域，公开了芯片金属互连线的制作方法及氧化层去除方法，在实际使用时，本发明通过在一个物理气相沉积腔体内完成前层金属线表面的氧化层去除和后续的沉积工艺制作，不用额外增加一个预清洁蚀刻腔体来蚀刻掉氧化层，减少了芯片金属互联线制作时所需要的腔体数量和维护成本，而且由于不用因

CN115440583A

提供物理气相沉积腔体，物理气相沉积腔体内设有静电吸盘、靶材、射频磁控装置和直流电源装置，靶材在静电吸盘上方

将制作完前层金属线的芯片放到物理气相沉积腔体内的静电吸盘上

在物理气相沉积腔体内使用离子轰击芯片表面来去除前层金属线表面的氧化层

在芯片表面沉积第一金属层

使用离子轰击第一金属层的表面来消除第一金属层沉积时产生的悬突

在第一金属层的表面沉积第二金属层

S1

S2

S3

S4

S5

S6

CN115440583A权利要求书1/1页

2

1.芯片金属互连线的氧化层去除方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:提供物理气相沉积腔体，所述物理气相沉积腔体内设有静电吸盘、靶材、射频磁控装置和直流电源装置，所述靶材在所述静电吸盘上方；

S2:将制作完前层金属线的芯片放到物理气相沉积腔体内的静电吸盘上；

S3:在物理气相沉积腔体内使用离子轰击芯片表面来去除所述前层金属线表面的氧化层。

2.根据权利要求1所述的芯片金属互连线的氧化层去除方法，其特征在于，在步骤S3中向物理气相沉积腔体内通入惰性气体，调整所述射频磁控装置的射频功率使惰性气体产生离子，给静电吸盘输入交流电源产生自偏压，所述离子在所述自偏压的作用下轰击芯片表面。

3.根据权利要求2所述的芯片金属互连线的氧化层去除方法，其特征在于，步骤S3中调整射频磁控装置的射频功率至300W～600W之间，所述交流电源的功率在150W～300W之间，步骤S3的持续时间在2S～5S之间。

4.根据权利要求2所述的芯片金属互连线的氧化层去除方法，其特征在于，所述惰性气体是氩气。

5.芯片金属互连线的制作方法，其特征在于，应用权利要求1-4任一项所述的芯片金属互连线的氧化层去除方法，在执行步骤S3之后执行步骤S4,步骤S4如下：

S4:在芯片表面沉积第一金属层；

S5:使用离子轰击第一金属层的表面来消除第一金属层沉积时产生的悬突；

S6:在第一金属层的表面沉积第二金属层。

6.根据权利要求5所述的芯片金属互连线的制作方法，其特征在于，在步骤S4中，通过所述直流电源装置给靶材通入直流电源使其产生负偏压，调整射频磁控装置的射频功率使惰性气体产生离子，离子在靶材负偏压作用下轰向靶材表面，靶材因受离子轰击产生的靶材原子落到芯片表面形成第一金属层。

7.根据权利要求5所述的芯片金属互连线的制作方法，其特征在于，在步骤S5中，停止向靶材通入直流电源，给静电吸盘输入交流电源使静电吸盘产生自偏压，调整射频磁控装置的射频功率使惰性气体产生离子，惰性气体产生的离子在自偏压的作用下轰向第一金属层的表面。

8.根据权利要求5所述的芯片金属互连线的制作方法，其特征在于，在步骤S6中，通过所述直流电源装