CN115442983A 一种封装基板及印制电路板及其制作方法 （上海美维科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115442983A(43)申请公布日2022.12.06

(21)申请号202211216589.X

(22)申请日2022.09.30

(71)申请人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人段龙辉李振涛王昌水于民生赵曼羚

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.CI.

HO5K3/38(2006.01)

H05K3/22(2006.01)

HO5K3/00(2006.01)

HO5K3/26(2006.01)

权利要求书1页说明书10页附图5页

(54)发明名称

一种封装基板及印制电路板及其制作方法

(57)摘要

CN115442983A本发明提供一种封装基板及印制电路板及其制作方法，该封装基板及印制电路板的制作方法包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括依次层叠的下导电层、介电层及上导电层；对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行表面粗化处理；对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行干燥处理；于所述基板中形成通孔或盲孔，并清洗所述基板去除激光孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层；对所述通孔或所述盲孔进行填孔。本发明通过对所述基板表面进行表面粗化处理及干燥处理，并采用直接激光钻孔得到所述通孔及所述盲孔，且利用多种类型的清洗装置进行清洗并去除孔口悬浮的失去

CN115442983A

提供一基板，所述基板包括依次层叠的下导电层、介电层及

提供一基板，所述基板包括依次层叠的下导电层、介电层及上导电层；

对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行表面粗化处理；

对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行干燥处理；

于所述基板中形成通孔或盲孔，并清洗所述基板去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层，所述通孔贯穿所述基板，所述盲孔的底面露出所述下导电层的上表面；

对所述通孔或盲孔进行填孔

S4

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CN115442983A权利要求书1/1页

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1.一种封装基板及印制电路板其制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，所述基板包括依次层叠的下导电层、介电层及上导电层；

对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行表面粗化处理；

对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行干燥处理；

于所述基板中形成通孔或盲孔并清洗去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层，所述通孔贯穿所述基板，所述盲孔的底面显露出所述下导电层的上表面；

对所述激光通孔或盲孔进行填孔。

2.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：对所述基板进行表面粗化处理的处理试剂包括硫酸、双氧水，所述处理试剂中硫酸的浓度范围为1%~5%,双氧水的浓度范围为5%～20%。

3.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：经过表面粗化处理后，所述上导电层及所述下导电层的厚度均减少，所述上导电层的厚度减少范围为0.5μm～5μm,所述下导电层的厚度减少范围为0.5μm～5μm。

4.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：经过表面粗化处理后，所述上导电层上表面的表面粗糙度Rz的范围为0.5μm～5μm,所述下导电层下表面的表面粗糙度Rz的范围为0.5μm～5μm。

5.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：在表面粗化处理之后，形成所述通孔或所述盲孔之前，还包括对所述基板进行干燥处理的步骤，对所述基板进行干燥处理的温度范围为115℃~135℃,时间范围为4min～8min。

6.根据权利要求5所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：对所述基板进行干燥处理的方法包括真空烘箱干燥、氮气烘箱干燥等。

7.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：形成所述通孔的方法包括直接激光钻孔；形成所述盲孔的方法包括直接激光钻孔。

8.根据权利要求7所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于，采用所述激光钻孔的方法形成所述通孔包括以下步骤：将所述基板置于激光钻机预设位置，利用所述激光钻机发射出的激光灼烧所述上导电层及所述介电层，以得到上孔部；利用所述激光钻机发射出的激光烧灼所述下导电层及所述介电