石墨烯缓冲层介导的氮化物外延技术：生长机制、性能优化与应用拓展.docxVIP

石墨烯缓冲层介导的氮化物外延技术：生长机制、性能优化与应用拓展

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，氮化物材料凭借其独特的物理性质，如宽禁带、高电子迁移率、高热导率和强化学稳定性等，占据着举足轻重的地位。以氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）为代表的氮化物半导体，在光电子器件、射频功率器件以及高温、高频、高功率应用场景中展现出巨大的潜力，成为推动现代信息技术发展的关键材料之一。

在光电子领域，氮化物基发光二极管（LED）实现了高效的蓝光发射，打破了传统照明技术的局限，为白光照明带来了革命性的变革，使照明进入了节能环保的新时代。同时，氮化物在激光二极管（LD）、紫外探测器等光电器件中也有着广泛应用，满足了通信、生物医学、环境监测等领域对特定波长光的需求。在功率电子领域，氮化物功率器件能够在高电压、大电流条件下高效工作，具有低导通电阻、高开关速度等优势，有效提升了电力转换效率，在电动汽车、智能电网、可再生能源发电等领域发挥着重要作用，推动了能源的高效利用和绿色发展。

然而，氮化物外延生长过程中面临着诸多挑战。由于氮化物与常用衬底（如蓝宝石、碳化硅等）之间存在较大的晶格失配和热失配，这使得在衬底上生长高质量的氮化物薄膜变得困难重重。晶格失配会导致外延层中产生大量的位错和缺陷，这些位错和缺陷会严重影响氮化物材料的电学和光学性能，降低器件的效率和可靠性。热失配则会在生长过程中产生较大的热应力，可能导致薄膜龟裂、剥落等问题，限制了氮化物外延层的质量和厚度，进而制约了氮化物基器件的性能提升和大规模应用。

为了克服这些问题，引入合适的缓冲层成为改善氮化物外延质量的关键策略。石墨烯，作为一种由碳原子组成的二维材料，具有独特的原子结构和优异的物理性质，为氮化物外延技术带来了新的契机。石墨烯具有原子级平整的表面、高载流子迁移率、出色的力学性能和化学稳定性。其原子级平整的表面为氮化物的生长提供了一个理想的模板，能够有效降低氮化物外延层的成核密度，减少位错的产生，从而提高外延层的晶体质量。高载流子迁移率则有助于改善氮化物基器件的电学性能，提高器件的工作效率和响应速度。

基于石墨烯缓冲层的氮化物外延技术，有望突破传统外延生长的限制，实现高质量氮化物薄膜的生长，为氮化物基器件性能的飞跃提供坚实的材料基础。这不仅有助于推动光电子、功率电子等领域的技术进步，满足日益增长的高性能器件需求，还能为新型半导体器件的研发和应用开辟新的道路，具有重要的科学研究价值和实际应用意义，对于提升国家在半导体领域的核心竞争力也具有深远影响。

1.2国内外研究现状

近年来，基于石墨烯缓冲层的氮化物外延技术受到了国内外科研人员的广泛关注，取得了一系列重要的研究成果。

在国内，中国科学院半导体研究所与北京大学纳米化学研究中心合作，利用化学气相沉积（CVD）方法在蓝宝石上直接生长大面积石墨烯，避免了石墨烯转移过程中的污染和破损问题。在此基础上，在石墨烯/蓝宝石上成功生长出低应力（0.16GPa）和低位错密度（~10?×cm?2）的GaN薄膜，所制备的蓝光LED光输出功率较传统工艺提升了19.1%，同时省略了低温缓冲层生长工艺，节省了MOCVD生长时间，有望进一步降低成本。此外，研究团队还深入研究了石墨烯上氮化物的生长机理，发现石墨烯可以改变成核密度，大幅度提高AlN成核岛的生长速度，从而降低融合边界的位错密度，通过DFT计算和实验结果验证了石墨烯可以显著改善外延层中的应力，为后续柔性LED器件的实现奠定了基础。

苏州纳米技术与纳米仿生研究所采用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）在覆盖单层石墨烯（SLG）的极性衬底（Al?O?和AlN）上实现了氮化镓成核层（GaNNLs）的远程外延。研究发现，衬底极性对石墨烯上GaN的成核密度、表面覆盖率和扩散常数起着关键作用，通过理论计算揭示了远程外延中衬底和吸附原子之间存在远程轨道杂化效应，这正是在极性衬底上远程外延GaNNLs的本质，为快速、大面积制备单晶GaN薄膜拓宽了思路。

在国外，一些研究团队也在该领域取得了重要进展。例如，韩国的研究人员通过优化石墨烯的生长条件和氮化物的外延工艺，实现了高质量的AlGaN/GaN异质结构的生长，所制备的高电子迁移率晶体管（HEMT）表现出优异的电学性能，具有较高的电子迁移率和饱和电流密度。美国的科研团队则致力于探索石墨烯缓冲层对氮化物外延层光学性能的影响，通过实验和理论模拟相结合的方法，研究了石墨烯与氮化物之间的界面相互作用对光发射效率和波长调控的影响机制，为氮化物基光电器件的性能优化提供了理论指导。

尽管国内外在基于石墨烯缓冲层的氮化物外延技术方面取得了显著进展，但仍存在一些不足之处。一方面，目前对于石墨烯与氮化物之间的界面微观结构和相互