CN114613680A 一种屏蔽栅沟槽器件制作方法 （捷捷微电(南通)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114613680A(43)申请公布日2022.06.10

(21)申请号202210369030.4

(22)申请日2022.04.08

(71)申请人捷捷微电(南通)科技有限公司

地址226000江苏省南通市崇川区苏锡通

科技产业园区井冈山路1号

(72)发明人汪国军王成森刘启星徐雷军王友伟王维

(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463

专利代理师宋南

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图11页

(54)发明名称

一种屏蔽栅沟槽器件制作方法

(57)摘要

CN114613680A本申请提供了一种屏蔽栅沟槽器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供带有沟槽的外延层，然后基于外延层与沟槽的表面先后生长场氧化层与多晶，其中，多晶位于沟槽内与外延层的表面，再沿多晶的表面离子注入氧气，以使外延层的表层、与外延层的表层接触的多晶氧化，并形成隔离层，再利用湿法腐蚀工艺先后去除位于隔离层表面的多晶、隔离层，以形成带多晶的外延结构，最后利用所述外延结构制作屏蔽

CN114613680A

提供带有沟槽的外延层

基于外延层与沟槽的表面先后生长场氧化层与多晶，其中，多晶位于沟槽内与外延层的表面

沿多晶的表面离子注入氧气，以使外延层的表层、与外延层的表层接触的多晶氧化，并形成隔离层

利用湿法腐蚀工艺先后去除位于隔离层表面的多晶、隔离层，以形成带多晶的外延结构

利用外延结构制作屏蔽栅沟槽器件

S102

S106

S108

S110

CN114613680A权利要求书1/2页

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1.一种屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供带有沟槽的外延层；

基于所述外延层与所述沟槽的表面先后生长场氧化层与多晶，其中，所述多晶位于所述沟槽内与所述外延层的表面；

沿所述多晶的表面离子注入氧气，以使所述外延层的表层、与所述外延层的表层接触的多晶氧化，并形成隔离层；

利用湿法腐蚀工艺先后去除位于所述隔离层表面的多晶、所述隔离层，以形成带多晶的外延结构；

利用所述外延结构制作屏蔽栅沟槽器件。

2.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，所述利用所述外延结构制作屏蔽栅沟槽器件的步骤包括：

刻蚀沟槽内的部分多晶与场氧化层；

基于所述沟槽与所述外延层的表面生长栅氧化层，并基于所述沟槽继续沉积多晶，以形成栅极多晶；

对所述外延层的表层进行掺杂，以形成体区，其中，所述体区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相反；

对所述体区的表层进行掺杂，以形成源区，其中，所述源区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同；

基于所述外延层的表面沉积介质层，并刻蚀出接触孔后退火；

沿所述接触孔与所述介质层的表面沉积金属层，并对所述金属层进行刻蚀，以形成源极与栅极；

沿所述金属层的表面沉积钝化层并光刻出窗口；

沿所述外延层的背面镀背金属，以形成漏极。

3.如权利要求2所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，在所述沿所述接触孔与所述介质层的表面沉积金属层的步骤之前，所述方法还包括：

利用MOCVD工艺沿所述接触孔的表面沉积阻挡层。

4.如权利要求2所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，所述对所述金属层进行刻蚀，以形成源极与栅极的步骤包括：

对所述金属层进行湿法刻蚀后再进行干法刻蚀，以形成源极与栅极；所述湿法刻蚀的厚度大于或等于所述干法刻蚀的厚度。

5.如权利要求2所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，所述外延层为N型掺杂，所述对所述外延层的表层进行掺杂的步骤包括：

对所述外延层的表层进行P型掺杂；

所述对所述体区的表层进行掺杂的步骤包括：

对所述体区的表层进行N型掺杂。

6.如权利要求2所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，所述基于所述外延层的表面沉积介质层的步骤包括：

基于所述外延层先后沉积SiO?与硼磷硅玻璃，且硼磷硅玻璃的厚度大于或等于SiO?的厚度。

CN114613680A权利要求书2/2页

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7.如权利要求2所述的屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，