CN114958334A 稳定性佳的量子点及其制作方法 （陈学仕）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114958334A(43)申请公布日2022.08.30

(21)申请号202110197580.8

(22)申请日2021.02.22

(71)申请人陈学仕

地址中国台湾新竹市光复路二段101号

(72)发明人叶常伟陈学仕

(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司11038

专利代理师李跃龙

(51)Int.CI.

C09K11/02(2006.01)

C09K11/88(2006.01)

权利要求书2页说明书16页附图16页

(54)发明名称

稳定性佳的量子点及其制作方法

(57)摘要

CN114958334A一种稳定性佳的量子点，其包括由M1C1第一化学式所构成的M1C1核及多个由M2C2第二化学式所构成的M2C2内壳。M1C1核的表面包括第一族群晶面与第二族群晶面。第一、二族群晶面各具有多个晶面。第一族群晶面的各晶面皆为非氧化晶面且第二族群晶面的各晶面皆为氧化晶面。各M2C2内壳分别对应成长在M1C1核的第一族群晶面的各晶面上。M1是至少一选自由下列所构成的群组的元素：Al、Ga,及In,C1是至少一选自由下