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2026年电子工程与技术考试试题及答案

1.（单选）在0.18μmCMOS工艺下，某反相器链驱动10pF负载，已知第一级反相器输入电容Cin=2fF，若采用最优级数与尺寸缩放，使总延迟最小，则理论上需要几级反相器？

A.5?B.6?C.7?D.8

答案：B

解析：最优级数N≈ln(CL/Cin)=ln(10pF/2fF)=ln(5×103)≈8.52，取整后N=6可获得最小延迟，且面积功耗折中最佳。

2.（单选）某12bitSARADC采用单调开关切换策略，比较器噪声有效值σn=0.2LSB，若要求转换误码率BER10??，则最低所需比较器增益Av需满足：

A.68dB?B.74dB?C.80dB?D.86dB

答案：C

解析：BER=erfc(0.5LSB/(σn√2))/210??，解得0.5LSB/(σn√2)2.63，即LSB/σn7.44。12bitADC满量程为4096LSB，比较器需分辨1LSB，输入差值ΔVin=1LSB×VFS/4096。热噪声在输出端等效为σn,out=σn×Av，需满足σn,out0.135LSB，故Av7.44×(4096/VFS)×(VFS/1LSB)×0.135≈80dB。

3.（单选）在IEEE802.11ax中，采用1024-QAM与RU-996tone配置，理论最高数据速率为：

A.1.2Gb/s?B.1.45Gb/s?C.1.89Gb/s?D.2.07Gb/s

答案：D

解析：1024-QAM每子载波10bit，RU-996tone有效数据子载波980，符号时长12.8μs+0.8μsGI=13.6μs，最高速率=980×10/(13.6×10??)≈720Mb/s；8×MIMO空间流×2（上下行MU-MIMO同时）×0.9（编码效率）≈2.07Gb/s。

4.（单选）某LDO在0–50mA负载阶跃下输出电压下冲为48mV，若输出电容为4.7μF，ESR=10mΩ，则误差放大器增益带宽积GBW至少为：

A.220kHz?B.450kHz?C.680kHz?D.1.1MHz

答案：B

解析：下冲ΔV=Istep/(2πGBW×C)，GBW≥Istep/(2πΔV×C)=50mA/(2π×48mV×4.7μF)≈450kHz。

5.（单选）对于GaNHEMT，栅极采用p-GaN帽层结构，主要目的是：

A.降低栅漏电流?B.提高二维电子气密度?C.增强阈值电压稳定性?D.抑制电流崩塌

答案：C

解析：p-GaN帽层引入内建电场，补偿表面陷阱，使阈值电压漂移从ΔVth1V降至0.1V。

6.（单选）某FPGA采用6-inputLUT，若实现一个32-bitCRC并行运算，理论最少需要LUT数量为：

A.128?B.160?C.192?D.224

答案：B

解析：32次异或迭代可展开为组合逻辑，每bit下一状态依赖6个输入bit，6-inputLUT可映射5变量函数，需?32×5/6?=160。

7.（单选）在毫米波频段，D波段(110–170GHz)路径损耗模型中，氧气吸收峰值出现在：

A.118GHz?B.140GHz?C.151GHz?D.183GHz

答案：A

解析：氧气分子在118GHz附近存在强吸收线，衰减达15dB/km。

8.（单选）某三相两电平逆变器采用SVPWM调制，直流母线电压400V，若参考电压矢量位于第Ⅰ扇区，作用时间T1=1.2ms，T2=0.8ms，周期Ts=2ms，则输出线电压基波幅值为：

A.282V?B.300V?C.346V?D.380V

答案：C

解析：Vref=(T1+jT2)×2Vdc/(3Ts)=(1.2+j0.8)×400/3，幅值|Vref|=400√(1.22+0.82)/3≈346V。

9.（单选）某ARMCortex-M55内核在150MHz下运行ML推理任务，利用Helium矢量扩展，每周期可执行8×16×16MAC，理论峰值算力为：

A.0.8GOPS?B.1.2GOPS?C.1.8GOPS?D.2.4GOPS

答案：D

解析：8×16×16=2048MAC/周期，150MHz×2048×2（乘加各算1OP）≈2.4GOPS。

10.（单选）在量子误差校正表面码中，距离d=7的编码可纠正的最大物理比特错误率为：

A.1.1×10?3?B.1.4×10?3?C.1.8×10?3?D.2.2×10?3

答案：B

解析：阈值定理给出表面码容错阈值约1.1%，距离d=7可纠正?(d-1)/2?