CN115377213A 一种沟槽型半导体装置及其制作方法 （烟台台芯电子科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115377213A(43)申请公布日2022.11.22

(21)申请号202211306195.3

(22)申请日2022.10.25

H01L21/336(2006.01)

(71)申请人烟台台芯电子科技有限公司

地址264006山东省烟台市中国(山东)自

由贸易试验区烟台片区开发区厦门大

街39号

(72)发明人姜维宾张茹戎光荣孔梓玮

(74)专利代理机构北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙)11636

专利代理师王婷婷

(51)Int.CI.

HO1L29/423(2006.01)

HO1L23/552(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图14页

(54)发明名称

一种沟槽型半导体装置及其制作方法

(57)摘要

CN115377213A本发明涉及半导体制造领域，具体为一种沟槽型半导体装置及其制作方法，包括N漂移区及P体区；面向P体区由栅极氧化层与栅极多晶层、第一多晶层