CN114944389A 内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114944389A(43)申请公布日2022.08.26

(21)申请号202210568442.0

(22)申请日2022.05.23

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军赵胜雷段小玲张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

专利代理师王品华

(51)Int.CI.

HO1L27/07(2006.01)

HO1L29/08(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

HO1L21/8252(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图4页

(54)发明名称

内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件及其制作方法

(57)摘要

CN114944389A本发明公开了一种内嵌肖特基二极管的复合功率开关器件，主要解决现有功率开关器件只能单向导通的问题。其包括：衬底、过渡层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层；第二势垒层上部依次设有P型块和栅极；第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层的左、右两侧均设有第一台面，这两个第一台