CN114446967A 半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114446967A(43)申请公布日2022.05.06

(21)申请号202210082185.X

(22)申请日2022.01.24

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人孔翠翠张坤张中

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240

专利代理师霍文娟

(51)Int.CI.

HO1L27/115(2017.01)

H01L27/11582(2017.01)

HO1L27/1157(2017.01)

H01L27/11556(2017.01)

HO1L27/11524(2017.01)

权利要求书2页说明书7页附图13页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统

(57)摘要

CN114446667A本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统，该方法包括：在衬底上形成堆叠结构以及介质层，堆叠结构的一端具有台阶区域，介质层覆盖堆叠结构的裸露表面；去除部分介质层和部分台阶区域，在介质层中以及台阶区域中形成接触开口，接触开口至少使得部分的牺牲层裸露；去除接触开口两侧的各绝缘介质层的部分以及介质层的部分，以在接触开口的侧壁上形成多个凹槽；在各凹槽中对应地形成氧化部，氧化部封住凹槽；在形成有氧化部的接触开口中填充第一填充材料，得到接触孔。接触孔与牺牲层接触的同时均停在了氧化部上，保证

CN114446667A

在衬底上形成堆叠结构以及介质层，所述堆叠结构包括

沿远离所述衬底的方向交替层叠的绝缘介质层以及牺牲

层，所述堆叠结构的一端具有台阶区域，所述介质层覆

盖所述堆叠结构的裸露表面；

去除部分所述介质层和部分所述台阶区域，在所述介质

层中以及所述台阶区域中形成接触开口，所述接触开口

至少使得部分的所述牺牲层裸露；

去除所述接触开口两侧的各所述绝缘介质层的部分以及

所述介质层的部分，以在所述接触开口的侧壁上形成多

个凹槽；

在各所述凹槽中对应地形成氧化部，所述氧化部封住所述凹槽；

在形成有所述氧化部的所述接触开口中填充第一填充材

料，得到接触孔。

S101

S102

S103

S104

S105

CN114446967A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成堆叠结构以及介质层，所述堆叠结构包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的绝缘介质层以及牺牲层，所述堆叠结构的一端具有台阶区域，所述介质层覆盖所述堆叠结构的裸露表面；

去除部分所述介质层和部分所述台阶区域，在所述介质层中以及所述台阶区域中形成接触开口，所述接触开口至少使得部分的所述牺牲层裸露；

去除所述接触开口两侧的各所述绝缘介质层的部分以及所述介质层的部分，以在所述接触开口的侧壁上形成多个凹槽；

在各所述凹槽中对应地形成氧化部，所述氧化部封住所述凹槽；

在形成有所述氧化部的所述接触开口中填充第一填充材料，得到接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在各所述凹槽中对应地形成氧化部，包括：

在各所述凹槽的内壁上沉积多晶硅材料，形成多个多晶硅部；

对各所述多晶硅部进行氧化，使得氧化后的所述多晶硅部完全填充所述凹槽，得到多个所述氧化部。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在各所述凹槽的内壁上沉积多晶硅材料，形成多个多晶硅部，包括：

在形成有所述凹槽的所述接触开口中形成预备多晶硅层；

去除所述接触开口的侧壁以及底部上的所述预备多晶硅层，剩余的所述预备多晶硅层形成各所述多晶硅部。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上形成堆叠结构以及介质层之后，在去除部分所述介质层和部分所述台阶区域，在所述介质层中以及所述台阶区域中形成接触开口之前，所述方法还包括：

去除部分所述介质层和部分所述台阶区域，在所述介质层中以及所述台阶区域中形成多个虚拟沟道孔，所述虚拟沟道孔与所述接触孔交替设置。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上形成堆叠结构以及介质层，包括：

在所述衬底上形成预备堆叠结构，所述预备堆叠结构包括交替层叠的所述绝缘介质层以及所述牺牲层；

在所述预备堆叠结构中形成沟道孔，所述沟道孔贯穿至所述衬底；

在所述预