CN114141872A 增强型GaN基复合开关器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114141872A

(43)申请公布日2022.03.04

(21)申请号202111439008.4

(22)申请日2021.11.26

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军张鹏张进成

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01L21/335(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/47(2006.01)

HO1L29/45(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L27/085(2006.01)

权利要求书3页说明书10页附图5页

(54)发明名称

增强型GaN基复合开关器件及其制作方法

(57)摘要

CN114141872A本发明公开了一种增强型GaN基复合开关器件及其制作方法，主要解决现有氮化镓基增强型功率开关器件的只能单向导通和单向阻断问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层，势垒层上部左、右两侧分别设有m个左、右P-GaN岛，该左右岛的前、后两侧分别设有左、右隔离槽，且左岛左侧交叉分布有左源极与左阳极，该左源极与左阳极通过左电极连接，右岛右侧交叉分布有右源极与右阳极，该右源极与右阳极被右电极连接，左、右岛上分别为左、右栅极，这些栅极被钝化层部分覆盖，且左右岛与对应的右左阳极之间，均通过势垒层连接，形成二极管与三极管复合结构。本发明能提升器件集成度，实现

CN114141872A

左描极151

左描极151

右惯极16

左棚极152钝化层8

盈

右P-GaN岛左P-GaN岛4

疆

右棚极16

左隔离槽6右隔离槽7

2右棚极16

5

右电极纠

CN114141872A权利要求书1/3页

2

1.一种增强型GaN基复合开关器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)和钝化层(8);其特征在于：

所述势垒层(3)上部左、右两侧分别设置有m个等间距平行排列的左P-GaN岛(4)和m个等间距平行排列的右P-GaN岛(5),每个左P-GaN岛(4)的前、后两侧均设有左隔离槽(6),每个右P-GaN岛(5)的前、后两侧均设有右隔离槽(7),这些左P-GaN岛(4)与这些右P-GaN岛(5)交叉分布；

所述m个左P-GaN岛(4)的左侧均设有左源极(9),m个右P-GaN岛(5)的左侧均设有左阳极(11),各左源极(9)和各左阳极(11)左侧并行设有左电极(13),这些源极和阳极被该左电极部分覆盖且电气连接；

所述m个左P-GaN岛(4)的右侧均设有右阳极(12),m个右P-GaN岛(5)的右侧均设有右源极(10),各右源极(10)和各右阳极(12)右侧并行设有右电极(14),这些源极和阳极被该右电极部分覆盖且电气连接；

所述m个左P-GaN岛(4)上部均设有左栅极(15),m个右P-GaN岛(5)上部均设有右栅极(16),这些左、右栅极的两侧和m个左、右P-GaN岛均由钝化层(8)覆盖，且这些左栅极(15)下部的左P-GaN岛(4)与其对应的右阳极(12)之间，以及这些右栅极(16)下部的右P-GaN岛(5)与其对应的左阳极(11)之间均通过势垒层(3)连接，形成二极管与三极管的复合结构。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底(1)采用蓝宝石或碳化硅或硅或石墨烯或其他材料。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述势垒层(3)其厚度a为2nm～60nm。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：

所述m个左P-GaN岛(4)大小相同，厚度均为b,且右边缘对齐，相邻两个左P-GaN岛(4)的间距为w;

所述m个右P-GaN岛(5)大小相同，厚度均为b,且左边缘对齐，相邻两个右P-GaN岛(5)的间距为w;该m个右P-GaN岛(5)与m个左P-GaN岛(4)之间的水平间距t≥1μm。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：

所述各左隔离槽(6)大小相同，下端均位于过渡层(2)中，且各左隔离槽(6)的下端与势垒层(3)和过渡层(2)界面之间的间距