CN114300544A 一种快恢复二极管及其制作方法 （江苏中科君芯科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114300544A

(43)申请公布日2022.04.08

(21)申请号202111654536.1

(22)申请日2021.12.30

(71)申请人江苏中科君芯科技有限公司

地址214135江苏省无锡市新吴区菱湖大

道200号中国传感网国际创新园D2栋

五层

(72)发明人李磊许生根

(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104

代理人陈丽丽曹祖良

(51)Int.CI.

HO1L29/868(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/329(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种快恢复二极管及其制作方法

(57)摘要

CN114300544A本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种快恢复二极管，其中，包括：N型衬底材料层，N型外延层和第一掺杂浓度的P型材料层，第一掺杂浓度的P型材料层的表面包括多个第二掺杂浓度的P型材料区，N型衬底材料层背离N型外延层的表面形成第一金属层，第一掺杂浓度的P型材料层背离N型外延层的表面形成第二金属层，第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度小于第二掺杂浓度的P型材料区的掺杂浓度，且N型外延层靠近第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度大于N型外延层靠近N型衬底材料层的掺杂浓度。本发明还公开了一种快恢复二极管的制作方法。本发

CN114300544A

CN114300544A权利要求书1/2页

2

1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：N型衬底材料层，依次设置在所述N型衬底材料层上的N型外延层和第一掺杂浓度的P型材料层，所述第一掺杂浓度的P型材料层的表面包括多个第二掺杂浓度的P型材料区，所述N型衬底材料层背离所述N型外延层的表面形成第一金属层，所述第一掺杂浓度的P型材料层背离所述N型外延层的表面形成第二金属层，

所述第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度的P型材料区的掺杂浓度，所述N型外延层靠近所述N型衬底材料层的掺杂浓度小于所述N型衬底材料层的掺杂浓度，且所述N型外延层靠近所述第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度大于所述N型外延层靠近所述N型衬底材料层的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述N型外延层包括依次设置在所述N型衬底材料层上的第一掺杂浓度的N型外延层、N型漂移区和第二掺杂浓度的N型外延层，所述第一掺杂浓度的N型外延层的掺杂浓度小于所述N型衬底材料层的掺杂浓度，且大于所述N型漂移区的掺杂浓度，所述N型漂移区的掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度的N型外延层的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一掺杂浓度的P型材料层的表面包括多个均匀分布的第二掺杂浓度的P型材料区，每个第二掺杂浓度的P型材料区的深度均远小于所述第一掺杂浓度的P型材料层的深度。

4.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层的制作材料均包括铝。

5.一种快恢复二极管的制作方法，用于制作权利要求1至4中任意一项所述的快恢复二极管，其特征在于，所述制作方法包括：

提供N型衬底材料层；

在所述N型衬底材料层上形成N型外延层，所述N型外延层靠近所述N型衬底材料层的掺杂浓度小于所述N型衬底材料层的掺杂浓度；

在所述N型外延层上注入第一剂量的硼离子形成第一掺杂浓度的P型材料层；

在所述第一掺杂浓度的P型材料层的表面注入第二剂量的硼离子，形成第二掺杂浓度的P型材料区，所述第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度的P型材料区的掺杂浓度，且所述N型外延层靠近所述第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度大于所述N型外延层靠近所述N型衬底材料层的掺杂浓度；

分别在所述第一掺杂浓度的P型材料层背离所述N型外延层的表面以及所述N型衬底材料层背离所述N型外延层的表面溅射金属，以形成对应的第二金属层和第一金属层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N型衬底材料层上形成N型外延层，包括：

在所述N型衬底材料层上注入N型离子并进行退火后形成第一掺杂浓度的N型外延层；在所述第一掺杂浓度的N型外延层上注入N型离子并进行退火后形成N型漂移区；

在所述N型漂移区上注