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- 2026-02-05 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN114300636A
(43)申请公布日2022.04.08
(21)申请号202111614420.5
(22)申请日2021.12.27
(71)申请人湖畔光电科技(江苏)有限公司
地址213200江苏省常州市金坛区晨风路
968号5号楼
(72)发明人王绍华吴远武王健波吴迪
(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569代理人赵兴华
(51)Int.CI.
HO1L51/52(2006.01)
HO1L51/56(2006.01)
权利要求书2页说明书7页附图2页
(54)发明名称
一种阳极结构、阳极结构制作方法及显示器
(57)摘要
CN114300636A本发明涉及一种阳极结构、阳极结构制作方法及显示器,阳极结构包括:衬底和N个结构单元,N个结构单元等间隔设置在衬底上;各结构单元包括:结构膜层和弧形的混合膜层,结构膜层设置在衬底上,混合膜层包覆结构膜层且设置在衬底上。本发明制作弧形的混合膜层包覆结构膜
CN114300636A
CN114300636A权利要求书1/2页
2
1.一种阳极结构,其特征在于,所述阳极结构包括:
衬底和N个结构单元,N个所述结构单元等间隔设置在所述衬底上,其中,N为大于或等于1的正整数;
各所述结构单元包括:结构膜层和弧形的混合膜层,所述结构膜层设置在所述衬底上,所述混合膜层包覆所述结构膜层且设置在所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的阳极结构,其特征在于,所述结构膜层为氮化硅膜层、氧化硅膜层、铝膜层或氧化铝膜层。
3.根据权利要求1所述的阳极结构,其特征在于,所述混合膜层是由阳极金属和氧化物沉积组成。
4.一种阳极结构制作方法,其特征在于,所述制作方法用于制备权利要求1-3中任一项所述的阳极结构,所述制备方法包括:
步骤S1:对衬底进行清洗和在真空条件下进行加热烘烤;
步骤S2:采用化学气相沉积方式或者物理溅射沉积方式,在所述衬底上沉积一定厚度的结构膜层;
步骤S3:采用旋涂方式或喷墨打印方式在所述结构膜层上涂布光刻胶获得第一光刻胶;
步骤S4:对带有所述第一光刻胶的衬底进行预烘烤、曝光、显影和烘烤;
步骤S5:采用刻蚀的方式对烘烤后的所述衬底进行刻蚀,采用干刻灰化去胶工艺去除所述第一光刻胶,获得阳极初始结构;
步骤S6:基于不同的曝光区域,采用旋涂方式在所述阳极初始结构上相邻的两个结构膜层之间涂布光刻胶获得第二光刻胶,并对带有所述第二光刻胶的衬底进行预烘烤、曝光、显影和烘烤,获得阳极中间结构;
步骤S7:在所述阳极中间结构上沉积混合膜层,获得阳极最终结构;
步骤S8:采用干刻灰化去胶工艺去除所述阳极最终结构上的第二光刻胶和第二光刻胶上的混合膜层,并采用湿法清洗工艺对去胶后的所述阳极最终结构进行清洗,获得阳极结构。
5.根据权利要求4所述的阳极结构制作方法,其特征在于,步骤S3中控制旋涂的转速在1000-1500rpm之间,使第一光刻胶的厚度控制在2-3微米范围内。
6.根据权利要求4所述的阳极结构制作方法,其特征在于,步骤S4中预烘烤温度在90-150℃之间,预烘烤时间在90-120s之间,曝光能量为150-350mj,显影液采用0.03-0.04%KOH或者2-3%TMAH,显影时间在100-150s,烘烤温度控制在90-150℃,时间在10-15min。
7.根据权利要求4所述的阳极结构制作方法,其特征在于,步骤S5中刻蚀采用的功率为350W±20W,偏置功率为30W±5W,刻蚀气体为CF4,在压力为1±0.15Pa条件下,通入流量为100-150sccm,反应的温度控制在80℃±1℃,时间选择5-10s,干刻灰化去胶工艺时使用功率为1000W±100W,偏置功率为30W±5W,控制温度为23℃,压力为1±0.15Pa,通入氧气的流量为50-150sccm,灰化时间为80-120s。
8.根据权利要求4所述的阳极结构制作方法,其特征在于,步骤S7中沉积顺序为Ti、Al、TiN和ITO,功率为1000W±100W,反应压力为1±0.15Pa,通入氩气流量为30-50sccm,氧气流量为10-20sccm,氮气流量为10-15sccm,温度控制在80-100℃。
2/2页CN114300636A权利要求
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CN11430
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