CN112736643A 太赫兹信号垂直腔面发射器及其制作方法 （北京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112736643A

(43)申请公布日2021.04.30

(21)申请号202110003808.5

(22)申请日2021.01.04

(71)申请人北京邮电大学

地址100876北京市海淀区西土城路10号

申请人武汉光迅科技股份有限公司

(72)发明人何晓颖忻向军饶岚张琦李欣国汤宝姜勋财

(74)专利代理机构北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413

代理人马敬项京

(51)Int.CI.

HO1S5/183(2006.01)

HO1S5/00(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图4页

(54)发明名称

太赫兹信号垂直腔面发射器及其制作方法

(57)摘要

CN112736643A本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法，包括：有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层；中分布反射镜层，位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧；中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层；欧姆接触层，位于中分布反射镜层远离有源层的一侧；上分布反射镜层，位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧，包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层；下分布反射镜层，位于有源层远离欧姆接触层的一侧，包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射

CN112736643A

CN112736643A权利要求书1/2页

2

1.一种太赫兹信号垂直腔面发射器，其特征在于，包括：

有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及位于所述第一发光子层和所述第二发光子层之间的运输匹配子层；所述运输匹配子层用于在所述第一发光子层与所述第二发光子层之间运输载流子；

中分布反射镜层，位于所述第一发光子层远离所述第二发光子层的一侧；所述中分布反射镜层包括多个第一折射率子层，所述多个第一折射率子层包括交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层，所述多个第一折射率子层的数量为奇数；

欧姆接触层，位于所述中分布反射镜层远离所述有源层的一侧，用于连接电极，以使所述电极产生的载流子进入所述有源层；

上分布反射镜层，位于所述欧姆接触层远离所述中分布反射镜层的一侧，包括多个第二折射率子层，所述多个第二折射率子层包括交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层，所述多个第二折射率子层的数量为偶数；

下分布反射镜层，位于所述有源层远离所述欧姆接触层的一侧，包括多个第三折射率子层，所述多个第三折射率子层包括交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层，所述多个第三折射率子层的数量为偶数，且所述多个第三折射率子层的数量大于所述多个第二折射率子层的数量；

非线性晶体层，位于所述上分布反射镜层远离所述欧姆接触层的一侧；所述第一发光子层产生的光与所述第二发光子层产生的光能够进入所述非线性晶体层，并在叠加后产生差频信号，且所述差频信号的频率在预设频率范围内。

2.根据权利要求1所述的太赫兹信号垂直腔面发射器，其特征在于，还包括：

氧化限制层，位于所述有源层和所述中分布反射镜层之间；

相位匹配扩展层，位于所述欧姆接触层与所述上分布反射镜层之间；

键合层，位于所述上分布反射镜层与所述非线性晶体层之间。

3.根据权利要求1所述的太赫兹信号垂直腔面发射器，其特征在于，所述欧姆接触层包括腐蚀停子层，所述腐蚀停子层位于所述欧姆接触层的远离所述中分布反射镜层的一侧。

4.根据权利要求1所述的太赫兹信号垂直腔面发射器，其特征在于，所述有源层还包括上限制子层和下限制子层；

所述上限制子层位于所述第一发光子层远离所述运输匹配子层的一侧，所述下限制子层位于所述第二发光子层远离所述运输匹配子层的一侧。

5.根据权利要求1所述的太赫兹信号垂直腔面发射器，其特征在于，所述第一发光子层及所述第二发光子层均包括量子阱结构、量子点结构或量子线结构中的至少一种。

6.根据权利要求1-5任一项所述的太赫兹信号垂直腔面发射器，其特征在于，还包括衬底；

所述衬底位于所述下分布反射镜层远离所述有源层的一侧，所述衬底的材料为半导体。

7.根据权利要求6所述的太赫兹信号垂直腔面发射器，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底与所述下分布反射镜层之间。

8.一种太赫兹信号垂直腔面发射器的制作方法，其特征在于，包括：

在