CN112002770B 一种电极预置焊料的光导开关及制作方法 （上海航天电子通讯设备研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN112002770B公告日2022.04.12

(21)申请号202010843478.6

(22)申请日2020.08.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112002770A

(43)申请公布日2020.11.27

(73)专利权人上海航天电子通讯设备研究所地址201109上海市闵行区中春路1777号

(72)发明人罗燕袁涛周义丁蕾林闽佳王立春姚崇斌

(74)专利代理机构上海汉声知识产权代理有限公司31236

代理人贺姿胡晶

(51)Int.CI.

HO1L31/0224(2006.01)

HO1L31/08(2006.01)

H01L31/18(2006.01)

(56)对比文件

JP2005051084A,2005.02.24审查员张权林

权利要求书2页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种电极预置焊料的光导开关及制作方法

(57)摘要

CN112002770B本发明公开了一种电极预置焊料的光导开关，包括碳化硅衬底及两个电极，两个电极设置于碳化硅衬底的第一表面和或第二表面上，电极包括依次堆叠的Ni层、TiW层、Pt层、第一Au层、第二Au层及Sn层，且Ni层位于靠近碳化硅衬底一侧，其中第二Au层和Sn层形成共晶焊料层，传统的焊料片熔化焊接方式存在着放置精度差，焊料片较厚，焊接后易形成凸起导致电荷集中，通过在电极上预置焊料膜层的方式可精准控制焊料定位，同时可有效控制焊料厚度及形状，提高光

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CN112002770B权利要求书1/2页

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1.一种电极预置焊料的光导开关，其特征在于，包括：

碳化硅衬底，包括相对的第一表面和第二表面；

两个电极，设置于所述碳化硅衬底的第一表面和或第二表面上，所述电极包括依次堆叠的Ni层、TiW层、Pt层、第一Au层、第二Au层及Sn层，且所述Ni层位于靠近所述碳化硅衬底一侧，其中所述第二Au层和所述Sn层形成共晶焊料层。

2.根据权利要求1所述的电极预置焊料的光导开关，其特征在于，所述Sn层的外侧还包括第三Au层。

3.根据权利要求1所述的电极预置焊料的光导开关，其特征在于，两个所述电极位于所

述碳化硅衬底的第一表面的两侧；或

两个所述电极对称分布于所述碳化硅衬底的第一表面及第二表面上；或

两个所述电极错开分布于所述碳化硅衬底的第一表面及第二表面上。

4.一种电极预置焊料的光导开关的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1:提供碳化硅晶片；

S2:加工掩膜工装，所述掩膜工装包括上下堆叠的底座及掩膜钢板，于所述底座上开设若干与所述碳化硅晶片尺寸及厚度一致的晶片放置槽，根据电极的形状于所述掩膜钢板上与所述晶片放置槽对应的位置开设电极槽；

S3:将所述碳化硅晶片放置于所述晶片放置槽内，并于所述碳化硅晶片上依次溅射Ni层及TiW层；

S4:将所述碳化硅晶片取出进行高温退火处理；

S5:将所述碳化硅晶片放置于所述晶片放置槽内，并于所述碳化硅晶片上依次溅射Pt层及第一Au层；

S6:于所述碳化硅晶片上依次电镀第二Au层及Sn层，所述第二Au层及所述Sn层的质量比为8:2;

S7:将所述碳化硅晶片取出进行退火处理，所述第二Au层及所述Sn层形成Au80Sn20共晶焊料层。

5.根据权利要求4所述的电极预置焊料的光导开关的制备方法，其特征在于，所述步骤S6进一步包括：

S61:于所述碳化硅晶片上依次电镀所述第二Au层及所述Sn层，所述第二Au层及所述Sn层的质量比为8:2;

S62:于所述Sn层上溅射第三Au层。

6.根据权利要求4所述的电极预置焊料的光导开关的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中高温退火温度为900～1100℃,高温退火时间为0.5～5min。

7.根据权利要求4所述的电极预置焊料的光导开关的制备方法，其特征在于，所述步骤S3进一步包括：

S31:使用RCA标准工艺对所述碳化硅晶片进行清洗；

S32:对所述碳化硅晶片进行低温烘干；

S33:将所述碳化硅晶片放置于所述晶片放置槽内，并于所述碳化硅晶片上依次溅射所述Ni层及所述TiW层。

8.根据权利要求4所述的电极预置焊料的光导开关的制备方法，其特征在于，所述步骤

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