CN111952175B 晶体管的凹槽制作方法及晶体管 （深圳市红与蓝企业管理中心(有限合伙)）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111952175B(45)授权公告日2023.07.04

(21)申请号202010642467.1

(22)申请日2020.07.06

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111952175A

(43)申请公布日2020.11.17

(73)专利权人深圳市红与蓝企业管理中心(有限合伙)

地址518109广东省深圳市龙华区大浪街

道陶元社区南科创元谷1栋303

(72)发明人刘新科贲建伟利健罗江流王磊贺威林峰黎晓华

朱德亮吕有明

(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250

(51)Int.CI.

H01L21/335(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

B82Y10/00(2011.01)

(56)对比文件

HuolinHuanget.al..Au-FreeNormally-OffAlGaN/GaN-on-SiMIS-HEMTsUsing

CombinedPartiallyRecessedand

FluorinatedTrapChargeGateStructures.《IEEEElectronDeviceLetters》.2014,第35卷(第5期),第569-571页.

审查员孙士博

专利代理师李博洋

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

晶体管的凹槽制作方法及晶体管

CN1119521

CN111952175B

(57)摘要

本发明提出了一种晶体管的凹槽制作方法及晶体管，该方法包括：在衬底的上方外延生长外延层；在外延层的上方转移二维材料层，并继续外延生长外延层，二维材料层和外延层形成第一凹槽；在外延层的上方、第一凹槽的两侧外延生长第一势垒层和第二势垒层；在二维材料层的上方、第一势垒层的上方和第二势垒层的上方沉积介电质层，形成第二凹槽。通过该方法制作得到的晶体管的凹槽制，其凹槽表面更光滑，表面态密度更低。

在衬底的上方外延生长外延层

在外延层的上方转移二维材料层，并继续外延生长外延层，二维材料层和外延层形成第一凹槽

在外延层的上方、第一凹槽的两侧外延生长第一势垒层和第二势垒层

在二维材料层的上方、第一势垒层的上方和第二势垒层的上方沉积介电质层，形成第二凹槽

S10

S20

S30

S40

CN111952175B权利要求书1/2页

2

1.一种晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底的上方外延生长外延层；

在所述外延层的上表面转移二维材料层，并继续外延生长所述外延层，使所述二维材料层和所述外延层形成第一凹槽；

在所述外延层的上方、所述第一凹槽的两侧分别外延生长第一势垒层和第二势垒层；

在所述二维材料层的上方、所述第一势垒层的上方和所述第二势垒层的上方沉积介电质层，形成第二凹槽；

所述二维材料层采用层间以范德瓦尔斯力结合的材料；其中，所述二维材料层的材料为石墨烯；

在所述第二凹槽的上方制备栅极电极，所述栅极电极顶面平整且填充所述第二凹槽。

2.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述在所述外延层的上方转移二维材料层，包括：

采用激光在所述二维材料上打出纳米带；

将所述纳米带转移至所述外延层的上方，得到所述二维材料层。

3.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述在所述外延层的上方转移二维材料层，包括：

将所述二维材料转移至所述外延层的上方；

采用激光在所述二维材料上打出纳米带，得到所述二维材料层。

4.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述第一势垒层和所述第二势垒层为所采用的材料为AlGaN,且A1组分大于0且小于或等于0.3。

5.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述第一势垒层和所述第二势垒层的厚度大于15纳米。

6.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述外延层的材料为GaN。

7.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，在衬底的上方外延生长的外延层的厚度大于或等于2微米且小于或等于10微米；

在转移所述二维材料层后，继续外延生长厚度大于0微米且小于等于1微