CN113655102A 一种电化学测量微电极结构及其制作方法 （深圳市溢鑫科技研发有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113655102A

(43)申请公布日2021.11.16

(21)申请号202110984276.8

(22)申请日2021.08.25

(71)申请人深圳市溢鑫科技研发有限公司

地址518000广东省深圳市南山区西丽街

道创科路和茶光路交汇处波顿科技园

B座万科云创5楼

(72)发明人胡一帆宋航丁显波赵鑫

(74)专利代理机构深圳市中科创为专利代理有限公司44384

代理人刘曰莹冯建华

(51)Int.CI.

GO1N27/30(2006.01)

GO1N27/36(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种电化学测量微电极结构及其制作方法

(57)摘要

CN113655102A本发明公开一种电化学测量微电极结构及其制作方法，该微电极结构包括：绝缘基底、电极、导电线和绝缘保护层，所述电极和所述导电线设于所述绝缘基底的上方，所述电极和所述导电线相连接，所述绝缘保护层覆盖于所述电极和所述导电线上方；所述绝缘基底上设有若干不连续的空孔，所述若干空孔对应所述电极的位置设置，每一所述空孔均连通至所述电极，其中一个空孔或多个空孔内形成近电极控制部。本发明的电化学测量微电极结构能按需灵活定制微电极电极有效尺度，并维持电极露于空孔或近电极控制部中的材料表面特征，实现微电极的更广泛的材质选用和更丰富的表面状态。本发明的电化学

CN113655102A

CN113655102A权利要求书1/1页

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1.一种电化学测量微电极结构，其特征在于，包括：绝缘基底、电极、导电线和绝缘保护层，所述电极和所述导电线设于所述绝缘基底的上方，所述电极和所述导电线相连接，所述绝缘保护层覆盖于所述电极和所述导电线上方；所述绝缘基底上设有若干不连续的空孔，所述若干空孔对应所述电极的位置设置，每一所述空孔均连通至所述电极，其中一个空孔或多个空孔内形成近电极控制部。

2.根据权利要求1所述的电化学测量微电极结构，其特征在于，所述近电极控制部为对空孔内进行物质填充或对空孔内表面进行表面处理所形成。

3.根据权利要求2所述的电化学测量微电极结构，其特征在于，所述物质填充包括：树脂填充或粉末物填充；所述表面处理包括：离子体溅射、化学腐蚀、化学接枝或电化学沉积。

4.根据权利要求1-3任一项所述的电化学测量微电极结构，其特征在于，所述绝缘基底的厚度为10um-10mm,所述空孔的宽度为0.1μm-1mm。

5.根据权利要求4所述的电化学测量微电极结构，其特征在于，所述电极为导电浆料、石墨烯、碳纳米管、金属薄片或半导体材质。

6.一种权利要求1-5任一项所述的电化学测量微电极结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、提供一绝缘基底，并在所述绝缘基底上形成导电线；

S20、在所述绝缘基底上形成若干不连续的空孔，每一所述空孔贯穿所述绝缘基底的厚度；

S30、在所述若干空孔的上方贴合电极，并使电极与导电线连接；

S40、在所述电极、导电线以及绝缘基底上方覆盖绝缘保护层；

S50、对一个或多个所述空孔进行处理，形成近电极控制部。

7.根据权利要求6所述的电化学测量微电极结构的制作方法，其特征在于，步骤S10中形成所述导电线的方法包括：在所述绝缘基底上印刷导电浆料；或将导电金属片材经压合和/或黏结固定的方式连接于所述绝缘基底上。

8.根据权利要求6所述的电化学测量微电极结构的制作方法，其特征在于，步骤S20中，所述空孔的形成方法包括：机械钻孔、激光打孔、辐射轰击或化学反应至孔。

9.根据权利要求6所述的电化学测量微电极结构的制作方法，其特征在于，步骤S30中，所述电极的贴合方法包括：热压合、UV树脂固化或树脂热固化。

10.根据权利要求6所述的电化学测量微电极结构的制作方法，其特征在于，步骤S40中，所述绝缘保护层的形成方法包括：在所述电极、导电线以及绝缘基底上方涂覆绝缘浆料或贴合绝缘薄膜。

CN113655102A说明书1/4页

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一种电化学测量微电极结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及电化学测量电极技术领域，尤其涉及一种电化