TiO2光催化原理及应用.docxVIP

引言

在能源与环境问题日益凸显的今天，半导体光催化技术因其在污染物降解、清洁能源生产等方面的巨大潜力而备受关注。二氧化钛（TiO?）作为一种典型的n型半导体材料，凭借其化学稳定性高、氧化能力强、无毒无害且成本相对低廉等显著优势，成为光催化领域研究最为广泛、应用最为深入的核心材料之一。从最初的基础研究到如今的实际应用探索，TiO?光催化技术已走过数十年的发展历程，其基本原理的阐明与应用场景的拓展，为解决实际问题提供了重要的科学依据和技术路径。

一、TiO?光催化基本原理

1.1半导体的能带结构与光吸收

TiO?的光催化行为与其独特的电子能带结构密切相关。如同其他半导体材料，TiO?的电子能带结构由价带（ValenceBand,VB）和导带（ConductionBand,CB）构成，价带与导带之间存在一个能量间隙，即禁带宽度（BandGap,Esubg/sub）。在热平衡状态下，价带被电子填满，而导带则为空。当TiO?受到能量等于或大于其禁带宽度的光子照射时，价带上的电子（esup-/sup）会吸收光子能量跃迁至导带，同时在价带上留下相应的空穴（hsup+/sup），形成电子-空穴对（esup-/sup-hsup+/sup）。这一过程是光催化反应的起点，也是能量转换的关键步骤。TiO?的常见晶相（如锐钛矿相、金红石相）具有不同的禁带宽度，其中锐钛矿相通常表现出更优异的光催化活性，其禁带宽度约为3.2eV，对应于紫外光区域的吸收（波长约387nm）。

1.2光生载流子的迁移、复合与分离

光生电子和空穴产生后，会经历一系列复杂的物理化学过程。一方面，它们会在半导体内部或表面发生迁移。另一方面，电子和空穴具有强烈的复合趋势，复合过程会以热能或光能的形式释放能量，导致光催化效率降低。因此，抑制光生电子-空穴对的复合，促进其有效分离并迁移至催化剂表面，是提高TiO?光催化活性的核心挑战之一。影响载流子分离效率的因素众多，包括晶体结构缺陷、晶粒尺寸、表面态、以及是否形成异质结等。

1.3表面氧化还原反应

成功迁移至TiO?表面的光生电子和空穴具有很强的氧化还原能力。价带上的空穴（hsup+/sup）是强氧化剂，能够直接氧化吸附在催化剂表面的有机污染物，或者与表面吸附的水分子（H?O）或羟基离子（OH?）反应，生成具有极高氧化活性的羟基自由基（·OH）。导带上的电子（esup-/sup）是强还原剂，能够与表面吸附的氧气（O?）等电子受体发生反应，生成超氧阴离子自由基（O?sup·-/sup）等活性氧物种。这些活性氧物种（主要是·OH、O?sup·-/sup等）具有极强的氧化能力，能够无选择性地将大多数有机污染物氧化分解为二氧化碳（CO?）、水（H?O）以及其他无机小分子物质，从而实现净化目的。对于还原反应，如光解水制氢，导带上的电子则可将水还原为氢气（H?）。

二、TiO?光催化剂的改性策略

尽管TiO?具有诸多优点，但其禁带宽度较大，只能吸收紫外光，而紫外光在太阳光谱中所占比例不足5%，这极大地限制了其对太阳能的利用效率。此外，光生电子-空穴对的高复合率也是制约其光催化活性的关键因素。为了克服这些不足，科研工作者开发了多种TiO?改性策略：

*掺杂改性：通过金属离子掺杂或非金属元素（如N、C、S等）掺杂，可以调节TiO?的能带结构，缩小禁带宽度，从而扩展其对可见光的吸收范围。

*复合半导体：将TiO?与其他窄禁带半导体（如CdS、g-C?N?等）复合形成异质结，可以促进光生载流子的分离，提高量子效率，并可能拓展光响应范围。

*贵金属沉积：在TiO?表面沉积少量贵金属（如Au、Ag、Pt等）纳米颗粒，利用贵金属的表面等离子体共振效应（SPR）可以增强对可见光的吸收，同时贵金属作为电子陷阱，有助于抑制电子-空穴复合。

*形貌与结构调控：通过控制TiO?的合成条件，可以制备出具有特定形貌（如纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米片等）和微观结构的材料，增加比表面积，优化表面活性位点，改善载流子传输特性。

三、TiO?光催化技术的应用领域

TiO?光催化技术的应用范围十分广泛，涵盖了环境保护、能源转化、医疗卫生等多个领域：

3.1环境保护

*水质净化：TiO?光催化剂能够有效降解水中的各类有机污染物，包括染料、农药、酚类化合物、内分泌干扰物等，甚至对部分重金属离子也有还原去除作用。其反应条件温和，无需添加化学药剂，二次污染风险低。

*空气净化：利用TiO?光催化可以去除空气中的挥发性有机化合物（VOCs）、甲醛、苯系物、NO?、SO?等有害气体，同时还能杀灭空气中的细菌、病毒等微生物，改善室内外空气质量。

3.2自清洁材料

将TiO?光催化剂涂覆或掺杂到建筑材料（如瓷砖、玻璃、涂料）、纺织品、汽