半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法》标准化发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReporton“Semiconductordevices—Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwaferforpowerdevices—Part3:Testmethodfordefectsusingphotoluminescence”

摘要

本报告旨在系统阐述国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法》的立项背景、核心内容、技术价值及其对产业发展的深远意义。碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，在新能源汽车、轨道交通、智能电网等高压、高频、高温应用场景中展现出巨大潜力。然而，SiC同质外延片中的晶体缺陷是制约器件性能、成品率及长期可靠性的关键瓶颈。本标准的制定，等同采用国际电工委员会标准IEC63068-3:2020，旨在建立一套科学、统一、与国际接轨的光致发光（PL）无损检测方法，用于精确识别与表征外延片中的基平面位错、堆垛层错、多型包裹体等关键缺陷。报告详细分析了该标准在响应国家新材料产业政策、填补国内检测标准空白、提升产业链协同效率、保障高端功率器件质量等方面的重要作用。通过规范测试条件、参数、步骤与判据，本标准将为SiC材料研发、生产质量控制、器件制造及采购验收提供权威技术依据，有力推动我国宽禁带半导体产业的健康、有序和高质量发展。

关键词：碳化硅；同质外延片；缺陷检测；光致发光；无损检测；标准化；功率器件；第三代半导体

Keywords:SiliconCarbide(SiC);HomoepitaxialWafer;DefectDetection;Photoluminescence(PL);Non-destructiveTesting;Standardization;PowerDevices;Third-GenerationSemiconductor

正文

一、立项背景与战略意义

碳化硅（SiC）作为典型的宽禁带半导体材料，因其具有高击穿电场强度、高饱和电子漂移速率、高热导率等优越的物理特性，非常适合应用于大功率、高温和高频工作环境，是支撑能源互联网、新能源汽车、5G通信等战略性新兴产业发展的关键先进基础材料。

国家层面高度重视碳化硅等新材料的标准体系建设与产业发展。原工信部、科技部等部门联合发布的《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》在“先进半导体材料”领域明确提出了建立碳化硅相关标准体系的任务。《新材料产业发展指南》亦将宽禁带半导体材料列为重点发展方向。此外，《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》将“碳化硅外延片”列入关键战略材料清单，凸显了其在产业链中的核心地位。

在碳化硅产业链中，同质外延材料生长于单晶衬底之上，是制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件的关键功能层，堪称连接“衬底”与“器件”的技术桥梁。外延片的质量直接决定了最终器件的性能与可靠性。其中，晶体缺陷（如基平面位错、各类堆垛层错等）是影响外延片质量的核心参数。这些缺陷在器件工作过程中可能演变为致命故障点，导致器件提前失效，严重制约成品率的提升和成本的下降。因此，建立精确、高效、无损的缺陷检测与识别方法，对于材料制备工艺优化、器件设计与可靠性评估、以及产业链上下游的质量共识具有至关重要的意义。

光致发光（PL）检测法作为一种非接触、非破坏性的光学表征技术，通过激光激发样品并收集其辐射的荧光信号，能够灵敏地反映材料的能带结构、杂质和缺陷态信息。与其它光学检测方法（如微分干涉相衬显微镜）相结合，PL法能够针对碳化硅外延片中不同类型缺陷进行特异性检测，或对同类缺陷提供互补的表征维度，已成为材料研究和产业化质量控制中不可或缺的重要手段。

基于以上背景，制定《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法》国家标准，不仅是贯彻落实国家新材料产业政策的必然要求，更是解决产业发展痛点、提升国际竞争力的迫切需求。通过等同采用国际先进标准IEC63068-3:2020，本标准旨在建立一套与国际完全接轨的检测规范，统一国内检测方法，为碳化硅外延材料的生产、应用、研发及贸易提供权威、一致的技术判据，从而有力促进我国碳化硅产业的规范化、高端化发展。

二、标准范围与主要技术内容

本标准是系列标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片