CN111029436A 可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池及其制作方法 （中建材浚鑫科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN111029436A布日2020.04.17

(21)申请号201910972959.4

(22)申请日2019.10.14

(71)申请人中建材浚鑫科技有限公司

地址214400江苏省无锡市江阴市申港镇

镇澄路1011号

(72)发明人康海涛郭万武吴中亚

(74)专利代理机构南京苏科专利代理有限责任公司32102

代理人张霞

(51)Int.CI.

H01L31/18(2006.01)

HO1L31/0216(2014.01)

HO1L31/054(2014.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池及其制作方法

(57)摘要

CN111029436A本发明提供了一种可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池的制作方法，包括如下步骤：步骤S1,表面织构；步骤S2,高温磷扩散；步骤S3,周边刻蚀及背面抛光；步骤S4,正、背面二氧化硅层制备；步骤S5,背面氧化铝层制备；步骤S6,背面碳氮化硅层制备；步骤S7,背面氮氧化硅叠层制备；步骤S8,正面氮氧化硅层制备；步骤S9,背面激光开槽；步骤S10,正、背面电极制备。本发明通过改变电池膜层结构、制作原材料及相应的工艺优化方法来减少氢源来源，降低太阳能电池片中的多余氢原子，达到改善太阳能电池LeTID

CN111029436A

表面织构

表面织构S2

高温磷扩散

周边刻蚀及背面抛光

正、背面二氧化硅层制备

背面氧化铝层制备

S6

背面碳氮化硅层制备

S7

背面氮氧化硅叠层制备

S8

正面氮氧化硅层制备

S9

背面激光开槽

S10

正、背面电极制备

S4

CN111029436A权利要求书1/1页

2

1.一种可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1,表面织构：利用低浓度碱溶液对硅片在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在P型硅片表面腐蚀形成形成金字塔状表面形貌，其中，反应碱溶液：

1.0-1.5wt%的NaOH,反应时间：200-400s,温度：70-90℃,反射率：11-12%;

步骤S2,高温磷扩散：用氮气通过恒温的液态源瓶，把扩散源三氯氧磷带入高温扩散炉中，同时通入足量的氧气，经过反应后磷原子扩散进入P型硅片内部，形成N型杂质分布，得到PN结，其中，氮气流量：500-800sccm,氧气流量：600-1000sccm,反应时间：80-100min,温度：700-800℃,扩散方阻：110-130欧姆，再采用激光掺杂方法在正面电极区域形成重掺区，方阻为：90-100欧姆；

步骤S3,周边刻蚀及背面抛光：利用HF酸液对扩散后的硅片背面和边缘进行腐蚀，去除边缘的N型硅，使得硅片的正、背表面相互绝缘，使用KOH和抛光添加剂对硅片背面进行抛光处理，背面反射率：40-45%;

步骤S4,二氧化硅层制备：采用热氧化方法在正、背面各沉积一层二氧化硅薄膜，其中，氧气流量：1000-2000sccm,压力：100-300pa,热氧化温度：600-700℃,时间：10-30min;

步骤S5,背面氧化铝层制备：常压条件下使用原子层沉积法在硅片背面制备氧化铝薄膜，其中，温度：180-250℃,三甲基铝：2.5-3.5mg/L,纯水：40-60mg/L;

步骤S6,背面碳氮化硅层制备：采用按比例均匀混合的SiH?、CH?和NH?,并使用PECVD法并在硅片背面沉积一层碳氮化硅薄膜；

步骤S7,背面氮氧化硅叠层制备：采用按比例均匀混合的SiH?、NH?和N?0,并使用PECVD法在硅片背面沉积一层氮氧化硅薄膜；

步骤S8,正面氮氧化硅层制备：使用PECVD法在硅片正面沉积一层SixOyNz膜，其中，N?O流量：200-800sccm,SiH?流量：1000-2000sccm,NH?流量：3500-5000sccm,沉积温度：450-550℃,沉积时间：500-700s;

步骤S9,背面激光开槽：利用激光相融原理进行背面叠层钝化膜局部开槽，背面激光图形参数为：光斑直径：20-50μm,激光线间距：500-900μm