CN110707061A 一种红外探测器接触孔结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110707061A

(43)申请公布日2020.01.17

(21)申请号201910841908.8

(22)申请日2019.09.06

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人康晓旭

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华尹一凡

(51)Int.CI.

HO1L23/48(2006.01)

HO1L21/768(2006.01)

H01L27/146(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种红外探测器接触孔结构及其制作方法

CN110707061

CN110707061A

(57)摘要

一种红外探测器接触孔结构及其制作方法，该接触孔结构包括：位于牺牲层上部具有一预设深度的支撑和电连接孔沟槽和多个接触小孔，且所述多个接触小孔的底部与器件层的电连接点相接触；其中，所述多个接触小孔和所述支撑和电连接孔沟槽填充有第一金属，所述第一金属的表面与所述支撑和电连接孔沟槽和/或外部牺牲层的表面平齐；其中，所述接触孔的孔径小于所述支撑和电连接孔沟槽的孔径，所述预设深度小于所述牺牲层的厚度。

在器件层上形成牺牲层，通过刻蚀工艺在所述的牺牲层内

形成一预设深度的支撑和电连接孔沟槽，在所述支撑和电

连接孔的底部向下形成多个接触小孔，且所述多个接触小

孔的底部与所述器件层的电连接结构相接触

采用CVD工艺，将第一金属填充在所述多个接触小孔和所

述支撑和电连接孔沟槽内，直到与所述牺牲层表面平齐，

平坦化所述牺牲层的表面

图形化去除所述支撑和电连接孔沟槽周边的第一金属，

在所述牺牲层的表面和所述支撑和电连接孔沟槽上生长

一层第二金属薄膜

平坦化所述第二金属薄膜S4

S1

S2

CN110707061A权利要求书1/1页

2

1.一种红外探测器接触孔结构，其特征在于，包括：位于牺牲层上部的具有一预设深度的支撑和电连接孔沟槽和多个接触小孔，所述多个接触小孔的底部与器件层的电连接结构相接触；其中，所述多个接触小孔和所述支撑和电连接孔沟槽填充有第一金属，所述第一金属的表面与所述支撑和电连接孔沟槽和/或外部牺牲层的表面平齐；其中，所述接触孔的孔径小于所述支撑和电连接孔沟槽的孔径，所述预设深度小于所述牺牲层的厚度。

2.根据权利要求1所述的红外探测器接触孔结构，其特征在于，所述第一金属的表面与所述牺牲层的表面具有用于电连接的第二金属层。

3.根据权利要求1或2所述的红外探测器接触孔结构，其特征在于，所述多个接触小孔的关键尺寸为所述支撑和电连接孔沟槽预设深度的1倍～5倍。

4.根据权利要求3所述的红外探测器接触孔结构，其特征在于，所述多个接触小孔的关键尺寸等于所述支撑和电连接孔沟槽深度的2倍。

5.根据权利要求1或2所述的红外探测器接触孔结构，其特征在于，所述多个接触小孔均匀分布在所述支撑和电连接孔沟槽的底部下方；或所述多个接触小孔集中围绕在所述支撑和电连接孔沟槽的底部中心下方；或所述多个接触小孔均匀分布在所述支撑和电连接孔沟槽的底部下侧壁下方且至少有一个所述接触小孔位于所述支撑和电连接孔沟槽的底部中心下方。

6.一种红外探测器接触孔结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1:在器件层上形成牺牲层，通过刻蚀工艺在所述的牺牲层内形成一预设深度的支撑和电连接孔沟槽以及多个向下延伸的接触小孔，且所述多个接触小孔的底部与所述器件层的电连接结构相接触；其中，所述接触孔的孔径小于所述支撑和电连接孔沟槽的孔径，所述预设深度小于所述牺牲层的厚度；

步骤S2:采用CVD工艺，将第一金属填充在所述多个接触小孔和所述支撑和电连接孔沟槽内，直到与所述牺牲层表面平齐，平坦化所述牺牲层的表面。

7.根据权利要求6所述的红外探测器接触孔结构的制作方法，其特征在于，还包括：

步骤S3:图形化去除所述支撑和电连接孔沟槽周边的第一金属，在所述牺牲层的表面和所述支撑和电连接孔沟槽上生长一层第二金属薄膜；

步骤S4:平坦化所述第二金属薄膜。

8.根据权利要求6所述的红外探测器接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述CVD工艺为