CN110294453A 一种高深宽比微纳结构及其制作方法 （南京航空航天大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN110294453A布日2019.10.01

(21)申请号201910613303.3

(22)申请日2019.07.09

(71)申请人南京航空航天大学

地址210016江苏省南京市秦淮区御道街

29号

(72)发明人王俊武晓光

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

代理人邓唯

(51)Int.CI.

B81B7/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图6页

(54)发明名称

一种高深宽比微纳结构及其制作方法

(57)摘要

CN110294453A本发明涉及一种制备高深宽比微纳结构的方法，包括以下步骤：步骤S1:提供衬底，在衬底表面进行沟槽刻蚀，可采用电子束光刻技术结合湿法刻蚀技术或者直接采用聚焦离子束技术在衬底表面进行沟槽刻蚀；步骤S2:对刻蚀好的沟槽进行等大小切割，保证切割不破坏已刻蚀的槽；步骤S3:将切割好的单块衬底(分体式结构)进行结合，形成具有高深宽比的一体化结构。本发明专利基于电子束光刻技术或者聚焦离子束技术直接沿着衬底表面“直写”刻蚀，有效解决垂直于玻璃表面加工孔结构产生倒锥的问题，形成的沟槽通道侧壁形貌一致，图形边缘毛刺小。同

CN110294453A

比。

步骤

步骤S1

步骤S1:提供衬底，在衬底表面进行沟槽刻蚀，可采用电子柬光刻技术结合湿法刻蚀技术或者直接采用聚焦离子束技术在衬底表面进行沟槽刻蚀

步骤S2

步骤S2:对刻蚀好的沟槽进行等大小切割，确保切割过程中不破坏已刻蚀

步骤S3

步骤S3:将切割好的单块衬底(分体式结构)进行结合，形成具有高深宽比的一体化结构

CN110294453A权利要求书1/1页

2

1.一种高深宽比微纳结构，其特征在于，包括：一种微纳结构，包括有多块衬底(1),在衬底(1)的正面开设有相互平行的槽结构(5),多块衬底之间通过层叠固定形成一体化多孔微纳结构。

2.根据权利要求1所述的高深宽比微纳结构，其特征在于，在一个实施方式中，槽结构(5)的截面形状为圆形、方形、多边形或者异形结构等；在一个实施方式中，衬底(1)的材料可以为石英玻璃，氮化硼，硅片，碳化硅等；在一个实施方式中，衬底(1)材料的平面度大小为1-2000nm之间，也可以是5-1000nm之间，也可以是10-800nm之间，也可以是20-200nm之间。

3.根据权利要求1所述的高深宽比微纳结构，其特征在于，在一个实施方式中，槽结构(5)的宽度为1-10000nm之间，也可以是2-5000nm之间，也可以是3-2000nm之间，也可以是4-1000nm之间；在一个实施方式中，槽结构(5)的深宽比大于50:1;在一个实施方式中，获得的槽结构(5)大小均匀，可以是单个结构，亦可以为多个结构按阵列排列，各个结构之间等间距排列。

4.根据权利要求1所述的高深宽比微纳结构，其特征在于，衬底(1)的背面开设有平行排列的背面槽结构(7),相邻的背面槽结构(7)之间形成凸结构(8),并且凸结构(8)可以嵌入于相邻的衬底(1)的正面的槽结构(5)中，凸结构(8)嵌入于槽结构(5)后相互间留有间

隙。

5.权利要求1所述的高深宽比微纳结构的制作方法，其特征在于，是通过可采用电子束光刻技术结合湿法刻蚀/干法刻蚀技术得到，或者采用聚焦离子束技术刻蚀制作得到。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在一个实施方式中，还包括对衬底进行等大小切割后进行多块衬底层层结合。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述的包括电子束光刻技术结合湿法刻蚀技术如下步骤：

第1步，在衬底(1)的表面依次涂覆上铬层(2)和PMMA胶层(3);

第2步，采用电子束光刻的方法在PMMA胶层(3)上形成相互平行的条状纹路(光栅结构),经显影液显影、定影液定影后去除被电子束光刻的胶层，暴露出纹路下部的铬层(2);

第3步，对第2步得到的衬底(1)进行铬的溶解处理，去除掉纹路下部的铬层(2),暴露出纹路下部的衬底(1);

第4步，对第3步得到的衬底(1)采用腐蚀的方法在暴露出的衬底(1)上形成槽结构(5);第5步，去除掉第4步得到的衬底(1)上剩余的PMMA胶层(3)和铬层(2);

根据权利要求7所述的制作方法，其特征