CN109461700A 半导体器件的制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109461700A

(43)申请公布日2019.03.12

(21)申请号201711284349.2

(22)申请日2017.12.07

(30)优先权数据

15/686,9162017.08.25US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人邱威超郭景森张浚威曾凯

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限

公司32243代理人顾伯兴

(51)Int.CI.

HO1L21/77(2017.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书3页说明书15页附图9页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法

(57)摘要

CN109461700A本发明的实施例提供一种制作半导体器件的方法。所述方法包括：使用具有第一图案的第一光掩模在第一光刻胶层中形成第一沟槽以暴露出衬底的第一表面；将离子经由第一沟槽引至暴露的第一表面中以在衬底中形成第一隔离区；移除第一光刻胶层；使用具有第二图案的第二光掩模在第二光刻胶层中形成第二沟槽以暴露出衬底的第二表面，第二图案相对于第一图案对角地偏移半个掩模间距；将离子经由第二沟槽引至暴露的第二表面中以在衬底中形成第二隔离区，第一隔离区与第二隔离区在衬底中交替地设置

CN109461700A

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CN109461700A权利要求书1/3页

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1.一种制作半导体器件的方法，其特征在于，包括：

使用具有第一图案的第一光掩模在第一光刻胶层中形成多个第一沟槽，以暴露出设置在所述第一光刻胶层下面的衬底的第一表面；

将离子经由所述多个第一沟槽引至所述衬底的暴露的所述第一表面中，以在所述衬底中形成多个第一隔离区；

移除所述第一光刻胶层；

使用具有第二图案的第二光掩模在第二光刻胶层中形成多个第二沟槽，以暴露出所述衬底的第二表面，所述第二图案相对于所述第一图案对角地偏移半个掩模间距；

将离子经由所述多个第二沟槽引至所述衬底的暴露的所述第二表面中，以在所述衬底中形成多个第二隔离区，所述第一隔离区与所述第二隔离区在所述衬底中交替地设置，且所述第一隔离区与所述第二隔离区之间界定多个像素区；以及

移除所述第二光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的制作半导体器件的方法，其特征在于，所述多个第一沟槽中的每一个以及所述多个第二沟槽中的每一个被形成为具有约13:1或大于13:1的高宽比，或

所述第一隔离区及所述第二隔离区具有小于1微米的恒定间距，或

所述第二图案与所述第一图案相同，且所述第二图案相对于所述第一图案偏置约半个掩模间距。

3.一种制作半导体器件的方法，其特征在于，包括：

使用具有第一图案的第一光掩模在衬底的第一表面上形成第一光刻胶柱，所述第一光刻胶柱彼此之间被第一沟槽隔开，其中所述第一光刻胶柱的高宽比低于所述第一沟槽的高宽比；

使用所述第一光刻胶柱作为掩模来进行第一离子植入工艺，以在所述衬底中形成第一隔离区；

移除所述第一光刻胶柱；

使用具有第二图案的第二光掩模在所述衬底的所述第一表面上形成第二光刻胶柱，所述第二光刻胶柱彼此之间被第二沟槽隔开，其中所述第二光刻胶柱的高宽比低于所述第二沟槽的高宽比，且所述第二图案相对于所述第一图案偏置；

使用所述第二光刻胶柱作为掩模来进行第二离子植入工艺，以在所述衬底中形成第二隔离区；

移除所述第二光刻胶柱；以及

在所述第一隔离区中的任一个与所述第二隔离区中的任一个之间界定像素区。

4.根据权利要求3所述的制作半导体器件的方法，其特征在于，所述第一沟槽及所述第二沟槽中的每一个的所述高宽比为约12:1至约30:1,且所述第一光刻胶柱中的每一个的所

述高宽比为约1:1至约3:1,或

所述第一图案及所述第二图案具有大于1微米的恒定掩模间距，或

所述第一光刻胶柱中的每一个被形成为具有第一宽度且所述第一沟槽被形成为具有第二宽度，且所述第一宽度对所述第二宽度的比率为约4:1至约30:1,或