CN109541745A 一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109541745A

(43)申请公布日2019.03.29

(21)申请号201811529297.5

(22)申请日2018.12.14

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人帅垚乔石珺高琴吴传贵罗文博王韬张万里

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心

51203

代理人张杨吴姗霖

(51)Int.CI.

GO2B6/12(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法

(57)摘要

CN109541745A本发明提供一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法，属于集成光学领域。该器件包括衬底1、键合层2、直波导4、介质层6、跑道型波导7,所述键合层2设置于衬底1上方，所述介质层6设置于键合层2上方，所述直波导4设置于介质层6中，所述跑道型波导7的直道部分在直波导4的正上方，其特征在于，还包括埋槽3,所述埋槽3设置于耦合区中的键合层2内，并位于直波导4的正下方，埋槽3的折射率小于衬底1的折射率。本发