CN108878520A 一种双极型晶体管结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108878520A

(43)申请公布日2018.11.23

(21)申请号201810417864.1

(22)申请日2018.05.04

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高新路

497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人顾学强范春晖王言虹奚鹏程

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华张磊

(51)Int.CI.

HO1L29/732(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/331(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种双极型晶体管结构及其制作方法

(57)摘要

CN108878520A本发明公开了一种双极型晶体管结构及其制作方法，通过在双极型晶体管结构中使用导电埋层取代常规的注入埋层，可在集电极串联电阻上的部分区域实现金属互连，因而可大幅降低集电极串联总体串联电阻，从而有效提高了器件性能；同时，通过使用导电埋层取代注入埋层，可以

CN108878520A

CN108878520A权利要求书1/1页

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1.一种双极型晶体管结构，其特征在于，包括：

设于第一型衬底上的第二型基极、第一型发射极、第一型集电极；

设于第一型衬底上且包围第二型基极、第一型发射极的第二型基区；

设于第一型衬底上且包围第一型集电极的第一型穿透层；以及

设于第一型衬底上且相邻位于第二型基区和第一型穿透层下方的导电埋层；所述导电埋层用于将由第一型发射极流出的电流传导收集至第一型集电极。

2.根据权利要求1所述的双极型晶体管结构，其特征在于，所述导电埋层的宽度在垂直投影方向上将第一型发射极和第一型集电极完全覆盖。

3.根据权利要求1所述的双极型晶体管结构，其特征在于，所述导电埋层为金属埋层或金属化合物埋层。

4.根据权利要求1所述的双极型晶体管结构，其特征在于，还包括设于第一型衬底上的沟槽隔离，所述沟槽隔离围绕第二型基区、第一型穿透层和导电埋层设置。

5.根据权利要求4所述的双极型晶体管结构，其特征在于，还包括介质隔离层，覆盖于沟槽隔离和导电埋层底部的第一型衬底底面表面。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的双极型晶体管结构，其特征在于，所述第一型为N型或P型，所述第二型为P型或N型。

7.根据权利要求6所述的双极型晶体管结构，其特征在于，所述第一型衬底为N型衬底，第二型基极为P+基极，第一型发射极为N发射极、第一型集电极为N集电极，第二型基区为P型基区，第一型穿透层为N型穿透层；或者，所述第一型衬底为P型衬底，第二型基极为N基极，第一型发射极为P+发射极、第一型集电极为P+集电极，第二型基区为N型基区，第一型穿透层为P型穿透层。

8.一种双极型晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一第一型衬底，在所述第一型衬底的正面上形成沟槽隔离、第一型穿透层、第二型基极、第一型发射极、第二型基区和第一型集电极；

将第一型衬底倒置，并将所述第一型衬底的正面表面与一载片进行粘合，然后进行退火；

对所述第一型衬底的背面进行减薄，使减薄后的第一型衬底背面停止在沟槽隔离的底部位置；

在第一型穿透层和第二型基区底部上方的第一型衬底的背面形成一个沟槽；

在所述沟槽内进行金属或金属化合物的填充，形成导电埋层；

在所述第一型衬底的背面表面形成介质隔离层。

9.根据权利要求8所述的双极型晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述第一型为N型或P型，所述第二型为P型或N型。

10.根据权利要求9所述的双极型晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述第一型衬底为N型衬底，第二型基极为P+基极，第一型发射极为N发射极、第一型集电极为N集电极，第二型基区为P型基区，第一型穿透层为N型穿透层；或者，所述第一型衬底为P型衬底，第二型基极为N基极，第一型发射极为P发射极、第一型集电极为P集电极，第二型基区为N型基区，第一型穿透层为P型穿透层。

CN108878520A说明书1/5页

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