CN108520896A 一种耐压双极晶体管及其制作方法 （西安建筑科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108520896A

(43)申请公布日2018.09.11

(21)申请号201810413790.4

(22)申请日2018.05.03

(71)申请人西安建筑科技大学

地址710055陕西省西安市碑林区雁塔路

中段13号

(72)发明人樊庆扬张文柱卫铭斐

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心61205

代理人侯琼王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/735(2006.01)

HO1L29/08(2006.01)

HO1L21/331(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种耐压双极晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN108520899A本发明公开了一种耐压双极晶体管及其制作方法，主要解决现有双极晶体管在EMP环境中抵抗能力弱、耐压值低的问题。其包括衬底(1)、重掺杂集电区(2)、外延层(3)、基区(4)、发射区(5)、SiO?层(6)、SiO?沟槽和通孔。重掺杂集电区为圆筒状，位于外延层中，且将外延层分为圆筒内外延层和圆筒外外延层两部分；圆筒内外延层包含圆柱形基区以及与发射区结深相同的SiO?沟槽；基区中包含圆环状的发射区。本发明方法有效降低了发射结之上的电流集边效应，从而提高了集电结的耐压特性；解决了现有技术中只针对特定输入输出端进行防护不能改善晶体管整

CN108520899A

CN108520896A权利要求书1/2页

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1.一种耐压双极晶体管，包括衬底(1),衬底上的外延层(3),外延层中的重掺杂集电区(2)、基区(4)和SiO?沟槽，基区中的发射区(5),最上方覆盖的SiO?层(6)及SiO?层中的通孔；其特征在于：

重掺杂集电区(2)为圆筒状重掺杂区域，该区域将外延层(3)分为圆筒内外延层和圆筒外外延层两部分；

圆筒内外延层包含圆柱形基区(4)以及与发射区(5)结深相同的SiO?沟槽；

SiO?沟槽与重掺杂集电区(2)、基区(4)之间均间隔有外延层，其两两之间不接触；

基区(4)中包含圆环状的发射区(5)。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：圆环状发射区内径距离与圆环状发射区外缘到外延层内缘距离相等。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：SiO?层中的通孔共有5个，分别为两个基极接触孔、两个发射极接触孔和一个重掺杂集电极接触孔，其所处位置如下：

基极接触孔：一个位于正中间基区的上方，另一个位于远离SiO?沟槽的基区上方位置；

重掺杂集电极接触孔：位于靠近SiO?沟槽的重掺杂集电区上方位置；

发射极接触孔：一个位于靠近SiO?沟槽的发射区上方，另一个位于远离SiO?沟槽的发射区上方位置。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：所述衬底为单晶硅衬底，外延层为N型掺杂、重掺杂集电区为N型掺杂、基区为P型掺杂、发射区为N型掺杂。

5.一种耐压双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)选取单晶硅为初始材料，作为衬底；

2)在真空条件下，通过化学气相垫积在单晶硅衬底上生成N型低浓度掺杂的外延层，即为晶体管的集电区；

3)通过热氧化工艺在外延层表面生长一层二氧化硅，然后旋涂光刻胶，利用光刻机进行曝光，做出重掺杂区域的圆筒状图形；通过离子注入将杂质选择性的掺杂到该圆筒状图形区域，形成器件的重掺杂集电区，再去除残余的二氧化硅和光刻胶；此时外延层被该重掺杂集电区分为圆筒内外延层和圆筒外外延层两部分；

4)通过热氧化工艺在外延层表面生长一层二氧化硅，然后旋涂光刻胶，利用光刻机进行曝光，做出沟槽图案，利用干法刻蚀技术刻蚀掉二氧化硅和外延层，形成一个与发射区结深相同的SiO?沟槽，再去除残余的二氧化硅和光刻胶；

5)通过离子注入工艺，在圆筒内外延层中注入硼离子，形成圆形基区；

6)通过离子注入工艺，在基区中注入磷离子，形成圆环状发射区；

7)在步骤6)完成后的器件最上方垫积一层二氧化硅，然后光刻形成重掺杂集电区、基区和发射区的接触孔，最后经金属布线工艺形成电极。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：重掺杂集电区与基区之间的N型低浓度掺杂外延层厚度为0.3～0.4um,且该层纵向的圆筒高度与横向的圆筒底面直径长度一致。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步