CN108598147B 渐变组分漂移层垂直型功率二极管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN108598147B公告日2020.10.23

(21)申请号201810321820.9

(22)申请日2018.04.11

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108598147A

(43)申请公布日2018.09.28

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人毛维丛冠宇彭紫玲张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/861(2006.01)

HO1L21/329(2006.01)

(56)对比文件

CN103579297A,2014.02.12

CN103400865A,2013.11.20

CN106252403A,2016.12.21

CN104966741A,2015.10.07

WO2017180633A1,2017.10.19审查员赖淑妹

权利要求书3页说明书8页附图3页

(54)发明名称

渐变组分漂移层垂直型功率二极管及其制作方法

(57)摘要

CN108598147B本发明公开了渐变组分漂移层垂直型功率二极管，主要解决现有垂直功率器件无法同时实现高击穿电压和低导通电阻的问题。其包括：衬底(1)、P型极化漂移层(2)、N型极化漂移层(3),P型极化漂移层和N型极化漂移层的上部淀积有阳极(4),衬底下部淀积有阴极(5);该P型极化漂移层由m层A1组分为自下而上线性递增的AlGaN半导体材料组成，其位于衬底上部的左侧；该N型极化漂移层由m层Al组分为自下而上线性递减的AlGaN半导体材料组成，其位于衬底上部的右侧。

CN108598147B

阳

阳极4

第m个P型漂移层2m第m-1个P型漂移

层2(m-1)

第m-1个N型漂移层3(m-1)

第二个P型漂移层22

r,第一个P型漂移层21第二个N型漂移层32第一个N型漂移层31

!5

N型极化漂移层3

第m个N型漂移层

P型极化漂移层2

CN108598147B权利要求书1/3页

2

1.一种渐变组分漂移层功率二极管，包括：衬底(1)、P型极化漂移层(2)、N型极化漂移层(3),P型极化漂移层(2)和N型极化漂移层(3)的上部淀积有阳极(4),衬底(1)下部淀积有阴极(5),其特征在于：

所述P型极化漂移层(2),其由m层P型结构组成，且位于衬底(1)上部的左侧，即自下而上按第一层P型漂移层(21)至第m层P型漂移层(2m)分布，各P型漂移层均是由A1组分为自下而上线性递增的AlGaN半导体材料构成，其中m根据器件实际使用要求确定，取值为大于1的整数；

所述N型极化漂移层(3),其由m层N型结构组成，且位于衬底(1)上部的右侧，即自下而上按第一层N型漂移层(31)至第m层N型漂移层(3m)分布，各N型漂移层均是由A1组分为自下而上线性递减的AlGaN半导体材料构成，其中m与P型极化漂移层(2)中的m取值相等。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于P型极化漂移层(2)的各层均不掺杂且第1层P型漂移层厚度Ti满足：T?≥T?≥...≥Ti≥…≥Tm,i为整数且m≥i1,T?为1～10μm;各层的宽度W?均相同。

3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于N型极化漂移层(3)的各层均不掺杂且第i层N型漂移层厚度Hi满足：H?≤H?≤...≤Hi≤…≤Hm和Hi=Tm+1-i,i为整数且m≥i1,Hm为1~10μm;各层的宽度W?均相同。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于P型极化漂移层(2)各层中A1GaN半导体材料的A1组分自下而上线性递增，按如下参数渐变：

第一层P型漂移层(21)的下表面A1组分为0,上表面A1组分为x1;

第二层P型漂移层(22)的下表面A1组分为x?,上表面A1组分为x2;

第i层P型漂移层(2i)下表面A1组分为xi-1,上表面A1组分为xi;

第m层P型漂移层(2m)下表面A1组分为xm-1,上表面A1