CN1601379A 制作晶圆试片的方法及评估光罩图案间迭对位准的方法 （南亚科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号6

[51]Int.Cl?

G03F7/00

G03F9/00H01L21/027

[43]公开日2005年3月30日[11]公开号CN1601379A

[22]申请日2003.9.22[21]申请6

[71]申请人南亚科技股份有限公司地址台湾省桃园县

[72]发明人吴文彬萧智元毛惠民

[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司

代理人李强

权利要求书6页说明书13页附图12页

[54]发明名称制作晶圆试片的方法及评估光罩图

案间迭对位准的方法

[57]摘要

一种评估两光罩间迭对位准的方法。首先，以具有第一光罩图案的第一光罩进行微影制程，以定义蚀刻晶圆而形成第一曝光图案。接着，在晶圆表面覆盖光阻层，并以具有第二光罩图案的第二光罩定义该光阻层而形成第二曝光图案。其次，量测晶圆上的第一曝光图案与第二曝光图案于X方向、Y方向或X与Y方向的偏移值。之后，校正该偏移值的曝光变形值(scaling)与迭对偏移值(o-verlayoffset)以得到第一与第二光罩图案间的迭对位准。最后，判定迭对位准是否合于一定规格。

以具有第一光罩图案的第一光罩进行

以具有第一光罩图案的第一光罩进行微影制程，以定义蚀刻品囫而形成第

曝光图案

在晶圆表面覆盖一光阻层

以具有第二光罩图案的第二光罩定义该光阻层而形成第二曝光图案

量测该品圆上的该第一曝光图案与该第二曝光图案于X方向、Y方向或X与

Y方向的偏移值

校正各方向偏移值的曝光交形值

(scaling)与迭对偏移值(overlay

offset)以得到该第一与第二光罩图案

间的迭对位准

判定迭对位准是否合于既定规格

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知识产权出版社出版6权利要求书第1/6页

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1、一种评估光罩图案间迭对位准(maskregistration)的方法，

其特征在于包含下列步骤：

以具有一第一光罩图案的一第一光罩进行微影制程，以定义蚀

刻一晶圆而形成一第一曝光图案；

在该晶圆表面覆盖一光阻层；

以具有一第二光罩图案的一第二光罩定义该光阻层而形成一第二曝光图案；

量测晶圆上的第一曝光图案与第二曝光图案于X方向、Y方向或

X与Y方向的偏移值；

校正该偏移值的曝光变形值(scaling)与迭对偏移值(overlayoffset)以得到第一与第二光罩图案间的迭对位准；以及

判定该迭对位准是否合于一既定规格。

2、根据权利要求1所述的评估光罩图案间迭对位准(maskregistration)的方法，其特征在于：第一光罩图案与第二光罩图案分别为主动区(AA)图案、闸极结构(GC)图案、深沟电容(DT)图案、接合区接触窗开口(CS)图案、位线接触窗开口(CB)图案或既定的金属内连线层图案之一。

3、根据权利要求1所述的评估光罩图案间迭对位准(maskregistration)的方法，其特征在于：晶圆的偏移值是藉由关键尺寸-电子扫瞄显微镜(CD-SEM)以上视图(top-view)方式量测。

4、根据权利要求1所述的评估光罩图案间迭对位准(mask6权利要求书第2/6页

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registration)的方法，其特征在于：第一与第二曝光图案是各别以第一与第二光罩图案为曝光单元，在晶圆上经A次分区曝光而成。

5、根据权利要求4所述的评估光罩图案间迭对位准(mask

5registration)的方法，其特征在于：量测晶圆上的第一曝光图案与