CN1731599A 一种二次电池负极（阳极）及制作方法 （吴孟涛）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510012710.7

[51]Int.Cl.

HO1M4/02(2006.01)

HO1M4/38(2006.01)

HO1M4/04(2006.01)

HO1M10/40(2006.01)

[43]公开日2006年2月8日[11]公开号CN1731599A

[22]申请日

[21]申请号

[71]申请人地址

共同申请

2005.8.5

200510012710.7吴孟涛

300384天津市华苑产业园区桂苑路5号

人杨化滨黄来和

[74]专利代理机构石家庄汇科专利商标事务所代理人王琪周大伟

权利要求书2页说明书18页附图2页

[72]发明人吴孟涛杨化滨黄来和

[54]发明名称

一种二次电池负极(阳极)及制作方法

[57]摘要

本发明提供一类用于锂离子二次电池和聚合物二次电池的新型负极(阳极)及其制备方法，旨在解决晶格膨胀造成的活性物质之间及活性物质与集流体之间的导电性能差引起的电极失效的问题。这种电极是采用磁控溅射法在铜箔、镍箔、镀铜或/和镀镍铁箔基体上覆盖Si或Si?-xM、二元合金活性材料制成，其中M是主族元素或副族元素。本发明通过控制靶源和功率可以控制电极的组成，当活性材料处于纳米或非晶态尺寸时，超细微粒的绝对体积变化小，可以使不同相的体积膨胀均匀，从而可以改善电极的寿命。采用该方法可直接制作成电极，使材料和电极制作一体化，还能有效控制电极活性材料的厚度，精确到1微米级。本发明应用于锂离子二次电池和聚合物二次电池中，大大提高锂离子二次电池和聚合物二次电池的比能量。

200510012710.7权利要求书第1/2页

2

1、一种二次电池负极，其特征在于：这种电极是采用磁控溅射法在铜箔、镍箔、镀铜或/和镀镍铁箔基体上覆盖Si或Si?-xMx二元合金活性材料制成，其中M是主族元素或副族元素。

2、根据权利要求1所述的二次电池负极，其特征在于：Si1-Mx二元合金活性材料M所代表的主族元素包括：Al、In、Sn、Sb或Bi。

3、根据权利要求1所述的二次电池负极，其特征在于：Si1-M二元合金活性材料M所代表的副族元素包括：Ti、V、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag或Zn。

4、根据权利要求1所述的二次电池负极，其特征在于：Si1-xMx二元合金活性材料的X范围为0.01-0.8摩尔数。

5、根据权利要求1或2或3或4所述的二次电池负极，其特征在于：Si

或Si1-Mx二元合金活性材料是纳米级非晶态的。

6、根据权利要求1所述的二次电池负极，其特征在于这种电极表面所覆

盖Si或Si1-M×二元合金的厚度为0.01-50μm。

7、根据权利要求1所述的二次电池负极的制作方法，其特征包括如下步骤：

A、将硅靶或硅靶和金属M靶分别放入磁控溅射仪中，然后将铜箔、镍箔、镀铜或/和镀镍铁箔放入硅靶或硅靶和金属M靶之间；

B、在真空度低于10-Pa的情况下，通入高纯氩气，并控制氩气压为0.1-5Pa;

C、调节电压至100-800V,电流至0.01-5A,溅射时间为0.5-10小时；

200510012710.7权利要求书第2/2页

3

D、溅射完毕后取出铜箔，得到本发明所述的电极，所镀的活性物质厚度为0.01-50μm。

8、根据权利要求7所述的二次电池负极的制备方法，其特征在于：非晶态Si电极的制备方法是将两片硅靶平行放置在磁控溅射仪中，硅靶作为阴极相对放置，不锈钢钟罩作为阳极接地，外加磁场垂直靶面；在两片硅靶之间的样品架上放一片铜箔、镍箔、镀铜或/和镀镍铁箔作为电极集流体，然后抽真空至10-Pa以下；通入高纯氩气，使氩气压达到0.1-5Pa;给硅靶施加电压到100-800V,控制电流为0.01-5A,溅射0.5-10小时后取出集流体，即得。

9、根据权利要求7所述的二次电池负极的制备方法，其特征在于：非晶态Si1-Mx二元合金电极制备方法是将两片硅靶和两片金属M靶作为阴极分别平行放