CN1719629A 制作垂直导通型氮化物光电组件的方法 （洲磊科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410062780.9

[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

HO1S5/002006.01)

[43]公开日2006年1月11日[11]公开号CN1719629A

[22]申请日

2004.7.9

[74]专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限

[21]申请号

200410062780.9

责任公司

[71]申请人

洲磊科技股份有限公司

代理人孙皓晨

地址

中国台湾

共同申请人

陈乃权

[72]发明人

陈乃权张本秀施权峰邱安平邓顺达

权利要求书2页说明书4页附图5页

[54]发明名称

制作垂直导通型氮化物光电组件的方法

第二导电层发光层

第二导电层

发光层

第一导电层

缓冲层

导电基板

本发明涉及一种制作垂直导通氮化物光电组件的方法，该方法为借助金属欧姆接触将氮化物半导体与导电性基板连接。利用此一方法不但可以降低组件与基板之间的串联电阻、降低操作电压，增加组件的寿命，且同时可以提高组件横向传导的效率等等。此法可应用在发光二极管、激光二极管、光检测器等半导体组件中。

200410062780.9权利要求书第1/2页

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1、一种形成具有金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，其特征在于：该方法主要包括提供一具导电性的基板，其中该基板可为n型或p型，

5且形成至少一层以上的缓冲层于该基板上，并将一导电层成长在该缓冲层上，其中该导电层可为n型或p型的氮化物，在该导电层与基板间制作金属欧姆连接件。

2、如权利要求1所述的一种形成具金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，其中，该基板选自硅、碳化硅、砷化镓等导电材料之一种。

103、如权利要求1所述的一种形成具金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，该组件为氮化物发光二极管。

4、如权利要求1所述的一种形成具金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，该组件为氮化物激光二极管。

5、如权利要求1所述的一种形成具金属连接件导电性基板的半导体组件

15的方法，该组件为氮化物光检测器。

6、如权利要求1所述的一种形成具有金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，其中，该金属连接件是以蒸镀金属的方法来形成，该金属选自金、银、铜、铂、钯、锌、镍、钛、铬金属之一种或其任意两种或多种金属的合金。

207、如权利要求1所述的一种形成具有金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，其中，该金属连接件是以打线金属的方法来形成，该金属选自金、铝之一种。

8、如权利要求1所述的一种形成具有金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，其中，该金属连接件是以溅镀金属的方法来形成，该金属选自

25金、银、铜、铂、钯、锌、镍、钛、铬金属之一种或其任意两种或多种金属的合金。

9、如权利要求1所述的一种形成具有金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，其中该金属连接件是以融溶金属的方法来形成，该金属选自金、银、铜、铂、钯、锌、镍、钛、铬金属之一种或其任意两种或多种金属的合金。

3010、如权利要求1所述的一种形成具有金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，其中该金属连接件是以电镀金属的方法来形成，该金属选自金、

200410062780.9权利要求书第2/2页

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银、铜、铂、钯、锌、镍、钛、铬金属之一种或其任意两种或多种金属的合金。

11、如权利要求1所述的一种形成具有金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，其中该金属连接件是以无电极电镀金属的方法来形成，该金属选自金、银、铜、铂、钯、锌、镍、钛、铬金属之一种或其任意两种或多种金

5属的合金。

12、如权利要求1所述的一种形成具有金属连接件导电性基板的半导体光电组件的方法，其中该金属连接件可为四边形、或三角形、或圆形或任意形状。

200410062780.9说明