CN1728395A 一种单片光电集成回路的制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410040306.6

[51]Int.Cl.

HO1L27/14(2006.01)

HO1L21/82(2006.01)

[43]公开日2006年2月1日[11]公开号CN1728395A

[22]申请日2004.7.26

[21]申请号200410040306.6

[71]申请人电子科技大学

地址610054四川省成都市建设北路二段四号

[72]发明人叶玉堂吴云峰焦世龙赵爱英张雪琴王昱琳

权利要求书1页说明书5页附图1页

[54]发明名称

一种单片光电集成回路的制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种单片光电集成回路的制作方法，它是利用激光辅助微细加工技术制作单片光电集成回路，即在制作光器件过程中，利用激光的高度定域性，在扩散、合金等高温工艺中使得高温区域严格限制在光器件所在区域，从而避免对基片上已做成的集成电路产生高温冲击，对电器件性能不产生负面影响，最终使光、电两部分器件都具有最佳性能，达到提高单片光电集成回路器件的整体性能水平的目的。

200410040306.6权利要求书第1/1页

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1、一种单片光电集成回路的制作方法，其特征是它采用下面的步骤：

步骤1准备好半导体衬底(1)所示，根据制作光电集成回路的设计要求，确定电器件(2)、光器件(4)的位置，用掩模把将要制作光器件(4)的区域掩蔽好；步骤2在半导体衬底(1)上的电器件(2)所在区域按照设计的要求，用常规的集成电路工艺制备电器件；

步骤3去除光器件(4)所在区域的掩模，再将通过步骤2做好的电器件(2)部分用掩模掩蔽好；

步骤4在光器件(4)所在区域，利用激光微细加工的直接写入功能制作光器件 (4),所述的利用激光微细加工的直接写入功能的方法可以是激光诱导扩散、可以是激光诱导合金、还可以是激光退火；

步骤5去除电器件部分的掩模，进行光、电器件的互连；

经过以上步骤后，就可以得到单片光电集成回路器件。

2、根据权利要求1所述的一种单片光电集成回路的制作方法，其特征是在步骤5中所述的进行光、电器件互联方法是首先用聚合物填充光、电器件之间的空隙，然后在需互连的光、电器件区域镀金属膜以实现互连。

200410040306.6说明书第1/5页

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一种单片光电集成回路的制作方法

技术领域：

本发明属于光电子技术领域，它特别涉及单片光电集成回路的制备技术领域。

背景技术：

单片光电集成回路是利用光电子技术和微电子技术将光电子器件和微电子器件单片集成到同一衬底，制作而成的。其中光电集成回路简称OEICs(OptoelectronicIntegratedCircuits)。

单片OEICs通过集成减少了寄生参数，具有高速和低噪声的特性，已成为超高速通信系统的关键器件。在毫米波光纤-无线系统的基站里，光/毫米波转换器是关键元件，单片OEICs是这个元件的较好选择。在其他光纤接入网中，光电转换模块也是关键器件，因为它必须能双向工作，价格低廉，产量大，这个需求也可用单片OEICs满足。单片OEICs还可用于光存储系统和光互连。光互连消除了电互连中的电磁干扰、串话及RC-限制的延时等问题。单片OEICs还可用于光交换和光计算中的波长控制，光束方向控制等([1]MarioDagenais,RobertF.Leheny,Integrated

optoelectronics”,thefirsteditionAcademicPress,1995)。

单片OEICs需要将光电子、电子两类功能和结构不同的器件集成到同一衬底上，所以需要解决结构及工艺兼容性的问题。目前的解决办法是采用外延生长技术，用一步生长或多步生长的方法生长出器件材料结构，采用扩散、合金、退火、光刻、腐蚀及剥离等半导体工艺制作出单片OEICs ([2]KiyotoTakahata,YoshifumMuramoto,etal.,UltrafastmonolithicreceiverOEICcomposedofmul