CN1841664A 纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510124674.3

[51]Int.Cl.

HO1L21/24(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)HO1L29/78(2006.01)

[43]公开日2006年10月4日[11]公开号CN1841664A

[22]申请日2005.11.14

[21]申请号200510124674.3

[30]优先权

[32]2004.11.18[33]US[31]10/991,582

[71]申请人国际商业机器公司地址美国纽约

[72]发明人陈佳阿里·阿夫扎利-阿达卡尼克里斯蒂·卡林科费顿·阿沃利斯迪米特里·V.·塔拉平

克里斯托弗·默里

[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人王永刚

权利要求书5页说明书14页附图10页

[54]发明名称

纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法

[57]摘要

提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。

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掺杂分子

栅介电层

162

140

120

100

200510124674.3权利要求书第1/5页

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1.一种对纳米部件的掺杂方法，包括以下步骤：

(a)将纳米部件暴露于掺杂剂中，掺杂剂选自联氨，单、双、三或四-三甲基甲硅烷联氨，联氨衍生物，双环二叠氮基十一烷，以及聚苯胺。

2.如权利要求1的方法，其中纳米部件为半导体纳米管、半导体纳米晶体和半导体纳米线之一。

3.如权利要求1的方法，其中纳米部件为碳纳米管。

4.如权利要求1的方法，其中纳米部件为包括Ⅲ、IV、V和VI族元素的半导体纳米管、纳米晶体和纳米线之一。

5.如权利要求4的方法，其中纳米部件至少包括Si、Ge、GaAs、GaP、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、CdS、CdSe、CdTe、HgS、

HgSe、HgTe、GeS、GeSe、GeTe、PbO、PbS、PbSe、和PbTe之一。

6.如权利要求1的方法，其中步骤(a)包括将纳米部件悬浮在含掺杂剂的溶液中。

7.如权利要求1的方法，其中步骤(a)包括：

将纳米部件支撑在衬底上；及

将有纳米部件的衬底浸在含掺杂剂的溶液中。

8.如权利要求1的方法，其中纳米部件为碳纳米管，掺杂剂为联氨和聚苯胺之一。

9.如权利要求8的方法，其中掺杂剂为乙腈溶液中的联氨。

10.如权利要求9的方法，其中溶液的掺杂剂浓度约为0.1M-10M,温度约为20-50℃。

11.如权利要求8的方法，其中聚苯胺为无色翠绿亚胺和全苯胺黑之一，并被提供在溶液中，其浓度约为0.5mM-50mM。

12.如权利要求1的方法，其中掺杂剂被提供在溶液中，其浓度约为0.1M-10M。

13.如权利要求1的方法，其中联氨衍生物的化学式为RHN-NH?,

200510124674.3权利要求书第2/5页

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其中R代表烷基、芳基、取代烷基和取代芳基之一。

14.如权利要求1的方法，其中纳米部件为PbSe纳米线和PbSe纳米晶体膜之一。

15.如权利要求14的方法，其中掺杂剂为联氨。

16.如权利要求15的方法，其中联氨被提供在溶液中，其浓度约为0.001M-10M。

17.如权利要求16的方法，其中溶液包含乙腈。

18.如权利要求16的方法，其中溶液温度保持在约10-50℃之间。

19.一种制作场效应晶体管(FET)的方法，包括：

(a)提供栅极；

(b)在栅极上制作栅电介质；

(c)在栅电介质上制作含纳米部件的沟道；

(d)在纳米部件的第一区上制作源极；

(e)在纳米部件的第二区上制作漏极；以及

(f)将至少一部分纳米部件暴露于掺杂剂，其中掺杂剂选自联氨，单、双、三或四一三甲基甲硅烷联氨，联氨衍生物