CN1855537A 具隔离结构的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法 （崇贸科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510066850.2

[51]Int.Cl.

HO1L29/78(2006.01)HO1L27/092(2006.01)HO1L21/336(2006.01)HO1L21/8238(2006.01)

HO1L21/8234(2006.01)

HO1L21/76(2006.01)

[43]公开日2006年11月1日[11]公开号CN1855537A

[22]申请日2005.4.29

[21]申请号200510066850.2

[71]申请人崇贸科技股份有限公司地址台湾省台北县

[72]发明人黄志丰简铎欣林振宇杨大勇

[74]专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人张龙哺郑特强

权利要求书5页说明书12页附图6页

[54]发明名称

具隔离结构的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法

[57]摘要

71052045041090102420820540530250531750600~22021023026Q90541-720430510560810本发明涉及一种具有隔离结构的金属氧化物半导体场效晶体管，其中一N型金属氧化物半导体场效晶体管包括有一置于一P型衬底内的第一N型嵌入层与一P型外延层；一P型场效晶体管包括有一置于该P型衬底内的一第二N型嵌入层与该P型外延层。该第一、第二N

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1、一种N型金属氧化物半导体场效晶体管，包括有：

一P型衬底；

一第一N型嵌入层与一P型外延层，于该P型衬底内形成；

一具有N型导电离子的第一N型扩散区，于该第一N型嵌入层内形成一第一N型阱；

一具有P型导电离子的第一P型扩散区，于该第一N型阱内形成一第一P型区域；

一具有N+型导电离子的第一漏极扩散区，于该第一N型扩散区内形成一第一漏极区域；

一具有N+型导电离子的第一源极扩散区形成一第一源极区域，其中一第一沟道于该第一源极区域与该第一漏极区域间形成；

一具有P+型导电离子的第一接点扩散区形成一第一接点区域，其中该第一P型扩散区将该第一源极区域与该第一接点区域包围起来；

一具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区，在该P型外延层内形成多个分离的P型区域以提供隔离特性；

一第一薄栅氧化层与一第一厚场氧化层，形成于该P型衬底上；

一第一栅极，置放于该第一薄栅氧化层与该第一厚场氧化层之上，用以控制该第一沟道内的电流量；

一硅氧化绝缘层，覆盖于该第一栅极与该第一厚场氧化层上；

一第一漏极金属接点，其具有一与该第一漏极扩散区相连接的第一金属

电极；

一第一源极金属接点，其具有一连接至该第一源极扩散区与该第一接点

扩散区的第二金属电极；以及

一第一间隙，存在于该第一厚场氧化层与该第一P型区域间，借以提高

该N型金属氧化物半导体场效晶体管的击穿电压。

2、如权利要求1所述的该N型金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于位于该第一N型阱内的该第一P型区域是通过一P型阱制造过程制得。

3、如权利要求1所述的该N型金属氧化物半导体场效晶体管，其特征

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在于位于该第一N型阱内的该第一P型区域是通过一P型基体制造过程制得。

4、一种P型金属氧化物半导体场效晶体管，包括有：

一P型衬底；

一第二N型嵌入层与一P型外延层，于该P型衬底内形成；

一具有N型导电离子的第二N型扩散区，于该第二N型嵌入层内形成一第二N型阱；

一具有P型导电离子的第二P型扩散区，于该第二N型阱内形成一第二P型区域；

一具有P+型导电离子的第二漏极扩散区，于该