CN1855538A 用于单片集成具有隔离结构的mos场效晶体管及其制作方法 （崇贸科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510066874.8

[43]公开日2006年11月1日

[51]Int.Cl.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L21/76(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/8234(2006.01)

[11]公开号CN1855538A

[22]申请日

2005.4.28

[74]专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司

[21]申请号

200510066874.8

代理人张龙哺郑特强

[71]申请人

崇贸科技股份有限公司

地址

台湾省台北县

[72]发明人

黄志丰简铎欣林振宇杨大勇

权利要求书4页说明书10页附图6页

[54]发明名称

用于单片集成具有隔离结构的MOS场效晶体管及其制作方法

[57]摘要

250710760720531750240450525060541260260210410100420230220260430一种用于单片集成具有隔离结构的金属氧化物半导体(MOS)场效晶体管器件，其中PMOS场效晶体管包括：置于P型衬底内的第一N型阱，第一P

250710760720

531750240450525060541

260260

210410

100

420

230

220

260

430

NMOS场效晶体管包括：置于P型衬底内的第二N型阱，第二P型区域置于第二N型阱区内，N+型漏极区域置于第二N型阱内，N+型源极区域与P+型接点区域形成一第二源极电极，第二P型区域将NMOS场效晶体管的N+型源极区域与P+型接点区域包围起来，多个分离P型区域置于该P型衬底内提供晶体管间的隔离。

200510066874.8权利要求书第1/4页

2

1、一P型金属氧化物半导体场效晶体管，包括有：

一P型衬底；

一具有N型导电离子的第一N型扩散区，于该P型衬底内形成一第一N型阱；

一具有P型导电离子的第一P型扩散区，于该第一N型阱内形成一第一P型区域；

一具有P+型导电离子的第一漏极扩散区，于该第一P型扩散区内形成一第一漏极区域；

一具有P+型导电离子的第一源极扩散区形成一第一源极区域，其中一第一沟道于该第一源极区域与该第一漏极区域间形成；

一具有N+型导电离子的第一接点扩散区形成一第一接点区域，其中该

第一N型扩散区将该第一源极区域与该第一接点区域包围起；

一具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区，于该P型衬底内形成多个分离的P型区域以提供隔离特性；

一第一薄栅氧化层与一第一厚场氧化层，形成于该P型衬底上；

一第一栅极，置放于该第一薄栅氧化层之上，用以控制该第一沟道内的电流量；

一硅氧化绝缘层，覆盖于该第一栅极与该第一厚场氧化层上；

一第一漏极金属接点，其具有一与该第一漏极扩散区相连接的第一金属电极；以及

一第一源极金属接点，其具有一连接至该第一接点扩散区与该第一源极扩散区的第二金属电极。

2、如权利要求1所述的该P型金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于位于该第一N型阱内的该第一P型区域是通过一P型阱制造过程制得。

3、如权利要求1所述的该P型金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于位于该第一N型阱内的该第一P型区域是通过一P型基体制造过程制得。

4、一N型金属氧化物半导体场效晶体管，包括有：

200510066874.8权利要求书第2/4页

3

—P型衬底；

一具有N型导电离子的第二N型扩散区，于该P型衬底内形成一第二N

型阱；

一具有P型导电离子的第二P型扩散区，于该第二N型阱内形